GaN HEMT微波器件氢中毒应力调制效应及失效机理研究
批准号：
--
项目类别：
面上项目
资助金额：
53 万元
负责人：
陈义强
依托单位：
工业和信息化部电子第五研究所
学科分类：
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结题年份：
--
批准年份：
2022
项目状态：
未结题
项目参与者：
陈义强
关键词：
氢中毒应力调制效应GaNHEMT微波器件
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