面向未来正负电子对撞机顶点探测器的CMOS像素探测器芯片设计和架构的研究

结题报告
项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号:
    11505207
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    22.0万
  • 负责人:
  • 依托单位:
  • 学科分类:
    A2804.粒子探测技术
  • 结题年份:
    2018
  • 批准年份:
    2015
  • 项目状态:
    已结题
  • 起止时间:
    2016-01-01 至2018-12-31

项目摘要

Located at the innermost region of spectrometer in particle physics experiments, vertex detectors play a critical role in the accurate reconstruction of the charged particle track and primary/secondary vertices. Future particle physics experiments for the precise measurements require a low-mass vertex detector with high spatial resolution. This drives the need for pixel technologies featuring fine pitch, low power consumption and fast readout. CMOS pixel sensors have significant advantages in material budget and spatial resolution, but still having big challenges on readout speed and power consumption. This project will study CMOS pixel sensors adapted to the vertex detector of future electron-positron colliders, and the main topics include: researching the relation of spatial resolution with pixel pitch and charge encoding precision (ADC resolution), aiming at design optimization; designing the charge collection element and front-end analog readout in pixels; exploring the readout architecture of a full scale chip (including pixel array and peripheral electronics). The research of this project is expected to accumulate the critical techniques for the future design of high spatial resolution, low power consumption and high speed CMOS sensor prototypes.
顶点探测器位于粒子物理实验谱仪的最内区域,对于带电粒子径迹以及初、次级碰撞顶点的精确重建起决定性作用。未来粒子物理实验为实现精确物理测量,需要高空间分辨率、低物质量的顶点探测器,急需小像素尺寸、低功耗、快速读出的像素探测器技术。CMOS像素探测器在物质量、空间分辨率等方面具有显著优势,但是在降低功耗、提高读出速度方面仍然面临巨大挑战。本项目面向未来国内外正负电子对撞机顶点探测器,提出开展CMOS像素探测器技术的研究,主要内容包括研究空间分辨率与像素尺寸、电荷编码精度(ADC位数)的关系 ,以优化设计;设计像素内电荷收集器件和前端模拟读出电路;探索探测器芯片(包括像素阵列和外围电路)整体读出架构,为实现高空间分辨率、低功耗、高读出速度的CMOS探测器原型芯片积累关键技术。

结项摘要

未来国内外正负电子对撞机为实现精确物理测量,需要高空间分辨率、低物质量的顶点探测器,急需小像素尺寸、低功耗、快速读出的像素探测器技术。CMOS像素探测器在物质量、空间分辨率等方面具有显著优势,但是在降低功耗、提高读出速度方面仍然面临巨大挑战。本项目针对下一代正负电子对撞机的顶点探测器,研究了CMOS像素探测器芯片设计的几个关键问题:空间分辨率与多个芯片设计参数的关系;像素内电荷收集器件(sensor)和模拟前端电路的设计技术;低功耗、高速读出芯片整体读出结构。通过本项目的研究,掌握了CMOS像素探测器的传感器及低功耗前端电路的设计方法,实现了功耗仅为8 mW/cm2的前端电路,并提出了基于二进制像素的数据驱动式读出结构。本项目的研究为实现高空间分辨率、低功耗、高读出速度的CMOS探测器大规模原型芯片的设计提供了有益参考。

项目成果

期刊论文数量(1)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
A Monolithic Active Pixel Sensor prototype for the CEPC vertex detector
用于 CEPC 顶点检测器的单片有源像素传感器原型
  • DOI:
    10.1016/j.nima.2018.10.006
  • 发表时间:
    2019-04
  • 期刊:
    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    Yang Ping;Ren Weiping;Sun Xiangming;Huang Guangming;Xiao Le;Gao Chaosong;Huang Xing;Zhou Wei;Li Yashu;Liu Jianchao;You Bihui;Zhang Li;Liu Jun;Zhang Ying
  • 通讯作者:
    Zhang Ying

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其他文献

铁炉港红树植物红榄李和榄李各器官矿质元素含量分析
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    --
  • 作者:
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  • 通讯作者:
    张颖
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  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
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  • 作者:
    张颖
  • 通讯作者:
    张颖
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  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
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  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    李苏;李俊寿;赵芳;张颖
  • 通讯作者:
    张颖

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课题项目:调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要:

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题,其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子,其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而,TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用,影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法,探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用,为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义,并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路:

科学问题:TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达?
前期研究:已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应,但其具体机制尚不明确。
研究创新点:本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线:包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术:TRIM2与病毒RNA的相互作用分析,IFN-β启动子活性检测。
实验模型:使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
      
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