研究内容：对直拉硅进行快中子辐照，揭示硅中辐照缺陷的形成、存在状态、转化规律；辐照对大直径硅中void微缺陷缺陷的控制与消除行为；辐照对对直拉硅中氧的扩散、沉淀及本征吸除效应所产生的影响。通过工艺改进设法稳定电参数的稳定性，设法排除施主的干扰，寻求较理想的退火工艺并设法与器件工艺相结合。.意义：人为地在直拉硅中引入缺陷，改变硅中点缺陷的浓度,抑制和消除大直径直拉硅中void缺陷; 通过引入缺陷与硅中固有杂质氧的相互作用，使其在硅片内形成较合理的分布，并得以控制与利用，是半导体缺陷工程的新内容。具有较高的学术价值和实用价值。