直拉硅的快中子辐照效应
批准号：
50472034
项目类别：
面上项目
资助金额：
25.0 万元
负责人：
李养贤
依托单位：
学科分类：
无机非金属半导体与信息功能材料
结题年份：
2007
批准年份：
2004
项目状态：
已结题
项目参与者：
曲静萍、刘何燕、李永章、李洪涛、陈贵锋、黄千驷、杨帅
项目摘要
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项目成果
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中文摘要
研究内容：对直拉硅进行快中子辐照，揭示硅中辐照缺陷的形成、存在状态、转化规律；辐照对大直径硅中void微缺陷缺陷的控制与消除行为；辐照对对直拉硅中氧的扩散、沉淀及本征吸除效应所产生的影响。通过工艺改进设法稳定电参数的稳定性，设法排除施主的干扰，寻求较理想的退火工艺并设法与器件工艺相结合。.意义：人为地在直拉硅中引入缺陷，改变硅中点缺陷的浓度,抑制和消除大直径直拉硅中void缺陷; 通过引入缺陷与硅中固有杂质氧的相互作用，使其在硅片内形成较合理的分布，并得以控制与利用，是半导体缺陷工程的新内容。具有较高的学术价值和实用价值。
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DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
[马巧云等]
通讯作者：
马巧云等
Annealing behaviors of vacancy
空位的退火行为
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DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
[陈贵锋等]
通讯作者：
陈贵锋等
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
[杨帅等]
通讯作者：
杨帅等
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
[阎文博等]
通讯作者：
阎文博等
DOI：
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发表时间：
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期刊：
物理学报
影响因子：
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作者：
[李养贤等]
通讯作者：
李养贤等
共 11 条
新型磁性形状记忆合金Mn2NiGa的研究
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批准号：50671034
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项目类别：面上项目
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资助金额：29.0万元
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批准年份：2006
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负责人：李养贤
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依托单位：
表现出混合价行为的轻稀土化合物的磁性研究
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批准号：50271023
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项目类别：面上项目
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资助金额：28.0万元
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批准年份：2002
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负责人：李养贤
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依托单位：
国内基金
海外基金