直拉硅的快中子辐照效应
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:50472034
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:25.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:E0207.无机非金属半导体与信息功能材料
- 结题年份:2007
- 批准年份:2004
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2005-01-01 至2007-12-31
- 项目参与者:曲静萍; 刘何燕; 李永章; 李洪涛; 陈贵锋; 黄千驷; 杨帅;
- 关键词:
项目摘要
研究内容:对直拉硅进行快中子辐照,揭示硅中辐照缺陷的形成、存在状态、转化规律;辐照对大直径硅中void微缺陷缺陷的控制与消除行为;辐照对对直拉硅中氧的扩散、沉淀及本征吸除效应所产生的影响。通过工艺改进设法稳定电参数的稳定性,设法排除施主的干扰,寻求较理想的退火工艺并设法与器件工艺相结合。.意义:人为地在直拉硅中引入缺陷,改变硅中点缺陷的浓度,抑制和消除大直径直拉硅中void缺陷; 通过引入缺陷与硅中固有杂质氧的相互作用,使其在硅片内形成较合理的分布,并得以控制与利用,是半导体缺陷工程的新内容。具有较高的学术价值和实用价值。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(11)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(6)
专利数量(0)
快中子辐照直拉硅中受主和施主的
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:物理学报
- 影响因子:--
- 作者:李养贤等
- 通讯作者:李养贤等
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- 发表时间:--
- 期刊:河北工业大学学报
- 影响因子:--
- 作者:王博文;李养贤;曲静萍等
- 通讯作者:曲静萍等
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- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:Acta Metallurgica Sinica
- 影响因子:2.3
- 作者:李养贤;徐桂芝;曲静萍;刘福贵;王博文等
- 通讯作者:王博文等
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- DOI:--
- 发表时间:2010
- 期刊:Kuei Suan Jen Hsueh Pao/Journal of the Chinese Ceramic Society
- 影响因子:--
- 作者:李养贤;陈贵锋;CAI Lili;CHEN Guifeng;LI Yangxian;蔡莉莉
- 通讯作者:蔡莉莉
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- DOI:--
- 发表时间:2011
- 期刊:磁性材料及器件
- 影响因子:--
- 作者:任芝;李松涛;刘何燕;卢遵铭;曹春梅;李养贤
- 通讯作者:李养贤
The synthesis and magnetotriction o f Prx Ce1-xFe2 Compounds
Prx Ce1-xFe2化合物的合成及磁致伸缩
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:Acta Metallurgica Sinica
- 影响因子:2.3
- 作者:李养贤;徐桂芝;曲静萍;刘福贵;王博文等
- 通讯作者:王博文等
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