课题基金基金详情
新型高阈值电压GaN电力电子器件模型与关键技术研究
批准号：
U20A20208
项目类别：
联合基金项目
资助金额：
260 万元
负责人：
罗小蓉
依托单位：
电子科技大学
学科分类：
F0404.半导体电子器件与集成
结题年份：
--
批准年份：
2020
项目状态：
未结题
项目参与者：
罗小蓉
关键词：
高阈值电压
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对称极化掺杂增强型功率GaN HFET机理与工艺实现研究
  • 批准号：
    61874149
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    64.0万元
  • 批准年份：
    2018
  • 负责人：
    罗小蓉
  • 依托单位：
    电子科技大学
空穴气增强型高压GaN HEMT机理与新结构研究
  • 批准号：
    51677021
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    65.0万元
  • 批准年份：
    2016
  • 负责人：
    罗小蓉
  • 依托单位：
    电子科技大学
结型场板横向功率器件机理与新结构研究
  • 批准号：
    61376079
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    80.0万元
  • 批准年份：
    2013
  • 负责人：
    罗小蓉
  • 依托单位：
    电子科技大学
高压、超低功耗的易集成SOI功率器件机理与新结构研究
  • 批准号：
    61176069
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    70.0万元
  • 批准年份：
    2011
  • 负责人：
    罗小蓉
  • 依托单位：
    电子科技大学
新型低k介质埋层SOI功率器件耐压理论与新结构
  • 批准号：
    60976060
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    42.0万元
  • 批准年份：
    2009
  • 负责人：
    罗小蓉
  • 依托单位：
    电子科技大学
SOI高压器件荷致高场理论与新结构
  • 批准号：
    60806025
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    21.0万元
  • 批准年份：
    2008
  • 负责人：
    罗小蓉
  • 依托单位：
    电子科技大学
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