与CMOS工艺兼容的HfO2基FeFET存储窗口非定常性的畴诱导机制
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TiN/HfO2基铁电/β-Ga2O3存储结构的制备与界面调控研究
- 批准号:51702273
- 项目类别:青年科学基金项目
- 资助金额:25.0万元
- 批准年份:2017
- 负责人:廖敏
- 依托单位:
国内基金
海外基金
