与CMOS工艺兼容的HfO2基FeFET存储窗口非定常性的畴诱导机制
批准号:
--
项目类别:
面上项目
资助金额:
58 万元
负责人:
廖敏
依托单位:
学科分类:
--
结题年份:
--
批准年份:
2020
项目状态:
未结题
项目参与者:
廖敏
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TiN/HfO2基铁电/β-Ga2O3存储结构的制备与界面调控研究
  • 批准号:
    51702273
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    25.0万元
  • 批准年份:
    2017
  • 负责人:
    廖敏
  • 依托单位:
国内基金
海外基金