基于InGaAsP双模激光器腔内自混频效应产生太赫兹波研究
批准号:
60877059
项目类别:
面上项目
资助金额:
12.0 万元
负责人:
何健
依托单位:
学科分类:
F0504.红外与太赫兹物理及技术
结题年份:
2009
批准年份:
2008
项目状态:
已结题
项目参与者:
缪庆元、刘陈、张学明、袁英豪、田晓光、张剑、李伟杰
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中文摘要
在太赫兹波空间通信与导航系统中,高稳定、小型化太赫兹波产生技术仍然是困扰研究人员的难题。我们拟采用InGaAsP高功率双模半导体激光器腔内光学自混频效应实现太赫兹波的产生。目标是完成具有结构紧凑、性能稳定、小型化且能够在室温下连续稳定工作、频率可调谐的太赫兹波产生源。设计高增益、高非线性效应和低太赫兹波吸收损耗的量子阱半导体材料,解决外腔自反馈激光腔中两个模式的功率平衡性和时间精确性,降低模式竞争噪声和提高转换效率等是本项目的关键。该项目的完成能进一步的拓展太赫兹波的应用领域,特别是在航天通信与航天导航领域中的应用,目前,在航天通信、航天雷达以及航天导航中,高稳定、小型化太赫兹源仍然是该领域急需解决的最关键的技术之一。
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