由于量子点结构具有独特的光电性质，使其在新型光电子器件等方面显示出广阔的应用前景。人们对InAs/GaAs 量子点系统研究的较多，生长出了高密度的InAs/GaAs量子点材料并研制了高性能的InAs/GaAs量子点激光器。在InP基衬底上生长InAs量子点制作量子点激光器由于在光通信方面的潜在应用而受到关注。然而人们对发射波长在1.55微米光通信波段的InAs/InP量子点研究还较少。在本项目中，我们利用气态源分子束外延（GSMBE）在InP(100)衬底上生长InAs量子点，生长出了可以用做量子点激光器有源区的密度高达10^10 cm^-2的量子点材料。成功制备了高质量的GaAs基和InP 基 InAs量子点激光，在连续波工作模式下，室温下InAs/GaAs量子点激光器的发射波长在1.10微米，InAs/InP量子点激光器的发射波长在1.54-1.70微米。在20℃下，对6微米条宽的脊波导激光器进行测试，InAs/GaAs量子点激光器的单面最大输出功率超过50mW，InAs/InP量子点激光器的单面最大输出功率达到30mW。对于InAs/InP量子点，当InAs层从3.0增加到3.5原子单层，量子点激光器激射波长可以从1.5-1.6微米扩展到1.6-1.7微米。获得了在1.5微米波段的宽调谐高性能InAs/InP 量子点外腔激光器, 调谐范围从1563 到1633 nm。在调谐范围内阈值电流低于1625 A/cm2。在波长1594 nm处，得到了超过23mW的输出功率，外微分量子效率为10.3%。详细研究了InAs/InP量子点激光器的波长稳定性，发现量子点激光器的激射波长有很好的温度稳定性，在80-310K之间量子点激光器激射波长的温度系数是0.088nm/K，与商用量子阱激光器0.548 nm/K相比，量子点激光器波长的温度系数仅为量子阱激光器的1/6.2倍。通过光刻和选择性蚀刻在GaAs衬底上成功地利用自组装方法制作了微镜面。此外，我们还开展了低维半导体材料量子态计算方面的工作。