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直流等离子体法沉积氮化硅薄膜形成机理及性能研究

批准号:
59471016
项目类别:
面上项目
资助金额:
7.5 万元
负责人:
吴大兴
依托单位:
学科分类:
金属功能材料
结题年份:
1997
批准年份:
1994
项目状态:
已结题
项目参与者:
杨川、高国庆、向军、罗东川

项目成果

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