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直流等离子体法沉积氮化硅薄膜形成机理及性能研究
批准号：
59471016
项目类别：
面上项目
资助金额：
7.5 万元
负责人：
吴大兴
依托单位：
学科分类：
E0107.金属功能材料
结题年份：
1997
批准年份：
1994
项目状态：
已结题
项目参与者：
杨川、高国庆、向军、罗东川
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