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GaAs/Si和Si/金属/Si等异质结构材料的智能剥离制备技术
结题报告
批准号：
60106001
项目类别：
青年科学基金项目
资助金额：
22.0 万元
负责人：
竺士炀
依托单位：
学科分类：
F0401.半导体材料
结题年份：
2004
批准年份：
2001
项目状态：
已结题
项目参与者：
李爱珍、包宗明、周嘉、黎坡、张庆全
国基评审专家1V1指导 中标率高出同行96.8%
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中文摘要
利用硅等半导体中注入一定剂量的氢等离子后在随后的热处理过程中将在半导体中形成埋层纳米孔层的原理，结合低温键合技术，可使一薄层的半导体膜转移到另一衬底上形成多层结构。本申请研究这种智能剥离技术，制备实用的GaAs/Si等异质结构材料和Si/CoSi2/Si等SOM材料，以及这些材料特殊的质量表征技术。这项研究开拓了一种新的异质结构材料制备方ā
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