NEA GaN光电发射机理及其制备技术研究
批准号：
60871012
项目类别：
面上项目
资助金额：
30.0 万元
负责人：
常本康
依托单位：
学科分类：
物理电子学
结题年份：
2011
批准年份：
2008
项目状态：
已结题
项目参与者：
乔建良、郭向阳、牛军、陈亮、高频、顾燕、熊雅娟、叶钧
项目摘要
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项目成果
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中文摘要
NEA GaN 是一种性能优良的新型紫外光电阴极，在电子束平版印刷，微弱紫外信号探测等领域应用潜力巨大，国内对NEA GaN 的研究尚处起步阶段。项目组在NEA GaAs 光电阴极研究的基础上，参考国外的相关研究成果，利用多信息量测试评估手段，对NEA GaN的材料、光电发射机理、净化和激活工艺以及NEA表面的形成机理开展研究。探索GaN光电发射本质是本项目研究的核心内容。本项目将建立NEA GaN光电发射的理论模型，探讨优化的阴极净化和激活工艺，揭示激活过程中GaN表面负电子亲和势的形成机理，建立NEA GaN的表面模型。此项课题的研究可进一步提高对NEA光电发射理论的认识，对研制高性能的紫外光电发射材料具有重要的理论意义。
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DOI：
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发表时间：
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期刊：
物理学报
影响因子：
--
作者：
[杜晓晴, 乔建良, 常本康, Du Xiao-Qing, Gao Pin, 田思, Tian Si, 高频, Qiao Jian-Liang, Chang Ben-Kang]
通讯作者：
Chang Ben-Kang
DOI：
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发表时间：
--
期刊：
中国激光
影响因子：
--
作者：
[Chang, Benkang, Qiao, Jianliang, Du, Xiaoqing, Gao, Pin, Fu, Rongguo, Qian, Yunsheng]
通讯作者：
Qian, Yunsheng
DOI：
--
发表时间：
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期刊：
物理学报
影响因子：
--
作者：
[Chang Ben-Kang, Du Xiao-Qing, 杜晓晴, 常本康]
通讯作者：
常本康
DOI：
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发表时间：
--
期刊：
物理学报
影响因子：
--
作者：
[郭向阳, 乔建良, 杜晓晴, 钱芸生, 王晓晖, 常本康]
通讯作者：
常本康
DOI：
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发表时间：
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期刊：
Acta Phys. Sin., (物理学报)
影响因子：
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作者：
[常本康, 李飚, 张俊举, 王晓晖, 杜玉杰, 付小倩]
通讯作者：
付小倩
共 35 条
NEA GaAlAs/GaAs高效真空光电转换器件理性设计与可控制备
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批准号：91433108
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项目类别：重大研究计划
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资助金额：100.0万元
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批准年份：2014
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负责人：常本康
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依托单位：
对532nm敏感的GaAlAs光电发射机理及其制备技术研究
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批准号：61171042
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项目类别：面上项目
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资助金额：58.0万元
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批准年份：2011
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负责人：常本康
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依托单位：
变掺杂GaAs光阴极材料与量子效率理论研究
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批准号：60678043
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项目类别：面上项目
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资助金额：28.0万元
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批准年份：2006
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负责人：常本康
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依托单位：
国内基金
海外基金