课题基金基金详情
NEA GaN光电发射机理及其制备技术研究
结题报告
批准号:
60871012
项目类别:
面上项目
资助金额:
30.0 万元
负责人:
常本康
依托单位:
学科分类:
F0122.物理电子学
结题年份:
2011
批准年份:
2008
项目状态:
已结题
项目参与者:
乔建良、郭向阳、牛军、陈亮、高频、顾燕、熊雅娟、叶钧
国基评审专家1V1指导 中标率高出同行96.8%
结合最新热点,提供专业选题建议
深度指导申报书撰写,确保创新可行
指导项目中标800+,快速提高中标率
客服二维码
微信扫码咨询
中文摘要
NEA GaN 是一种性能优良的新型紫外光电阴极,在电子束平版印刷,微弱紫外信号探测等领域应用潜力巨大,国内对NEA GaN 的研究尚处起步阶段。项目组在NEA GaAs 光电阴极研究的基础上,参考国外的相关研究成果,利用多信息量测试评估手段,对NEA GaN的材料、光电发射机理、净化和激活工艺以及NEA表面的形成机理开展研究。探索GaN光电发射本质是本项目研究的核心内容。本项目将建立NEA GaN光电发射的理论模型,探讨优化的阴极净化和激活工艺,揭示激活过程中GaN表面负电子亲和势的形成机理,建立NEA GaN的表面模型。此项课题的研究可进一步提高对NEA光电发射理论的认识,对研制高性能的紫外光电发射材料具有重要的理论意义。
英文摘要
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
DOI:--
发表时间:--
期刊:物理学报
影响因子:--
作者:杜晓晴;乔建良;常本康;Du Xiao-Qing;Gao Pin;田思;Tian Si;高频;Qiao Jian-Liang;Chang Ben-Kang
通讯作者:Chang Ben-Kang
DOI:--
发表时间:--
期刊:中国激光
影响因子:--
作者:Chang, Benkang;Qiao, Jianliang;Du, Xiaoqing;Gao, Pin;Fu, Rongguo;Qian, Yunsheng
通讯作者:Qian, Yunsheng
DOI:--
发表时间:--
期刊:物理学报
影响因子:--
作者:Chang Ben-Kang;Du Xiao-Qing;杜晓晴;常本康
通讯作者:常本康
DOI:--
发表时间:--
期刊:物理学报
影响因子:--
作者:付小倩;王晓晖;常本康;李飙;乔建良
通讯作者:乔建良
The Spectral Response Analysis of Activated GaN Photocathode
活化GaN光电阴极的光谱响应分析
DOI:--
发表时间:--
期刊:Spectroscopy and Spectral Analysis
影响因子:0.7
作者:Hou Rui-li;Xiong Ya-juan;Wang Xiao-hui;Zhang Yi-jun;Chang Ben-kang
通讯作者:Chang Ben-kang
NEA GaAlAs/GaAs高效真空光电转换器件理性设计与可控制备
  • 批准号:
    91433108
  • 项目类别:
    重大研究计划
  • 资助金额:
    100.0万元
  • 批准年份:
    2014
  • 负责人:
    常本康
  • 依托单位:
对532nm敏感的GaAlAs光电发射机理及其制备技术研究
  • 批准号:
    61171042
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    58.0万元
  • 批准年份:
    2011
  • 负责人:
    常本康
  • 依托单位:
变掺杂GaAs光阴极材料与量子效率理论研究
  • 批准号:
    60678043
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    28.0万元
  • 批准年份:
    2006
  • 负责人:
    常本康
  • 依托单位:
国内基金
海外基金