课题基金 / 基金详情

高密度铁电不挥发存储器用Bi4-xLaxTi3O12薄膜尺寸效应研究

批准号：
90207025
项目类别：
重大研究计划
资助金额：
30.0 万元
负责人：
胡广达
依托单位：
济南大学
学科分类：
无机非金属材料
结题年份：
2005
批准年份：
2002
项目状态：
已结题
项目参与者：
范素华、任艳霞、韩龙、唐晓娟
关键词：
Bi4-xLaxTi3O12薄.尺寸效应.高密度铁电不挥发

项目摘要

结项摘要

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中文摘要
拟系统研究影响Bi4-xLaxTi3O12铁电薄膜宏观电学性能的尺寸效应。利用以导电-压电双重Ｊ焦ぷ鞯脑恿ο晕⒕迪低常芯科湮⒐勐┑缁坪统虢峁梗剿饔跋炱涑叽缧вΦ母髦忠蛩亍Ｍü谋浠Ъ屏勘群筒捎貌煌缂峁沟陌旆ɡ匆种瞥叽缧вΑＵ页雎愀呙芏忍绮换臃⒋娲⑵饔τ玫腂i4-xLaxTi3O12薄膜的最佳厚度，晶粒尺寸，化学计量比，以及电极峁埂?.
英文摘要
(100)-取向BiFeO3-基薄膜自极化调控
  • 批准号：
    51372100
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    80.0万元
  • 批准年份：
    2013
  • 负责人：
    胡广达
  • 依托单位：
    济南大学
镧系元素掺杂BiFeO3薄膜铁电与压电各向异性研究
  • 批准号：
    51172094
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    63.0万元
  • 批准年份：
    2011
  • 负责人：
    胡广达
  • 依托单位：
    济南大学
用于集成压电芯片的BiFeO3-基薄膜的漏电流和老化抑制
  • 批准号：
    50972049
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    37.0万元
  • 批准年份：
    2009
  • 负责人：
    胡广达
  • 依托单位：
    济南大学
CaBi4Ti4O15-基压电薄膜取向控制与微观畴结构研究
  • 批准号：
    50502016
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    24.0万元
  • 批准年份：
    2005
  • 负责人：
    胡广达
  • 依托单位：
    济南大学
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