CaBi4Ti4O15-基压电薄膜取向控制与微观畴结构研究

本项目拟采用金属有机分解技术结合层层快速退火工艺制备铋层状结构CaBi4Ti4O15基压电薄膜。系统研究影响a-择优取向CaBi4Ti4O15薄膜生长的工艺条件、厚度因素、晶体结构因素、以及三者之间的关系。拟通过控制升温速率、退火温度和时间、每旋涂一层的厚度、以及Bi含量等方法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si、LaNiO3/SiO2/Si、和SiO2/Si等衬底上制备出a-择优取向的厚度在1微米~10微米范围内的CaBi4Ti4O15薄膜。系统研究退火条件、Bi含量、以及A、B位替代等因素对CBTi宏观电学（包括铁电、压电、介电）性能和热稳定性、微观畴结构、以及微观d33均匀性等的影响。我们希望本项目的开展能解决CaBi4Ti4O15薄膜在MEMS器件应用中遇到的压电常数小和高矫顽场两个问题，为下一步研发拥有自主知识产权的各种CaBi4Ti4O15-基MEMS器件打下坚实的基础。