SiC RF MEMS 器件－高Q值谐振器的研究
批准号：
60406010
项目类别：
青年科学基金项目
资助金额：
25.0 万元
负责人：
宁瑾
依托单位：
学科分类：
半导体电子器件与集成
结题年份：
2007
批准年份：
2004
项目状态：
已结题
项目参与者：
刘忠立、于芳、高见头、郑中山、王建林、梁秀芹、李宁
项目摘要
结项摘要
项目成果
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中文摘要
本项目拟开展新型SiC RF MEMS元件－高Q值谐振器的研究工作，制备出可应用于高温环境的、具有高Q值高频谐振特性的SiC 谐振器。主要研究内容包括：SiC谐振器的性能模拟与结构设计、多晶3C-SiC高Q值谐振器的制备研究、谐振器真空封装工艺的研究、谐振器的性能测试和结果分析，并探索其在无线通信领域的应用。关键解决SiC谐振器的建模分析、SiC MEMS制备工艺中的难点和器件真空封装问题。.本项目的工作属于新兴交叉领域，国际上在这方面的研究刚刚起步，国内还未见报道。本项目将开辟国内SiC RF MEMS的应用基础研究领域，为我国高速发展的通信领域奠定技术基础。
英文摘要
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
[Guosheng Sun, Jin Ning, Xingfa]
通讯作者：
Guosheng Sun, Jin Ning, Xingfa
DOI：
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发表时间：
--
期刊：
半导体学报， 28卷，pp185－188，2007年增刊
影响因子：
--
作者：
[刘兴昉, 孙国胜, 李晋闽, 赵永梅]
通讯作者：
赵永梅
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
半导体学报， 28卷，pp164－166，2007年增刊
影响因子：
--
作者：
[宁瑾, 张杨, 刘忠立]
通讯作者：
刘忠立
基于驻极体技术的新型MEMS超低压电容式超声换能器的研究
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批准号：61974136
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项目类别：面上项目
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资助金额：59.0万元
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批准年份：2019
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负责人：宁瑾
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依托单位：
新型级联阵列结构的AlN MEMS谐振器及关键机理研究
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批准号：61274001
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项目类别：面上项目
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资助金额：70.0万元
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批准年份：2012
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负责人：宁瑾
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依托单位：
国内基金
海外基金