高迁移率ZnO基透明薄膜晶体管研究
批准号:
60676003
项目类别:
面上项目
资助金额:
27.0 万元
负责人:
吴惠桢
依托单位:
学科分类:
半导体材料
结题年份:
2009
批准年份:
2006
项目状态:
已结题
项目参与者:
吴剑钟、徐天宁、斯剑霄、王擎雷、金国芬、夏明龙
中文摘要
薄膜晶体管(TFT)占有硅芯片技术的第二大市场,在平板显示、打印机、复印机和摄像机等中具有重要的应用,目前的TFT 产品都采用非晶Si或多晶Si技术,对可见光吸收、电子迁移率低是Si基TFT的明显缺点。本项目提出了用六方相ZnO基纳米薄膜和立方相ZnMgO纳米薄膜构建对可见光透明的TFT,通过深入研究器件结构参数、ZnO基纳米薄膜材料的低温生长机理及其微结构与电学特性的关联等科学问题,实现高电子迁移率的透明TFT器件。探索在柔性塑料衬底上研制透明薄膜晶体管和采用具有室温铁磁性的ZnCoO纳米薄膜做沟道实现磁场和电场控制的薄膜晶体管。
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Fabrication of ZnO nanoneedle/nanocolumn composite films and annealing induced improvement in their microstructural and photoluminescence characteristics
ZnO纳米针/纳米柱复合薄膜的制备和退火改善了其微观结构和光致发光特性
DOI:
--
发表时间:
--
期刊:
材料科学技术(英文版)
影响因子:
--
作者:
[Yu, Ping, Wu, Huizhen, Jiang, Yintu, Qiu, Dongjiang]
通讯作者:
Qiu, Dongjiang
Study on micro-structural properties of PbTe/Cd0.98Zn0.02Te (111) hetero-system grown by molecular-beam epitaxy
分子束外延生长PbTe/Cd0.98Zn0.02Te(111)异质体系的微观结构特性研究
DOI:
--
发表时间:
--
期刊:
无机材料学报
影响因子:
--
作者:
[Wu Hui-Zhen, Wang Qing-Lei, Dai Ning, Xia Ming-Long, Si Jian-Xiao, Lu Ye-Qing, Fang Wei-Zheng, Xu Tian-Ning]
通讯作者:
Xu Tian-Ning
DOI:
--
发表时间:
--
期刊:
Acta Physica Sinica,57(4), 589-596?(2008),
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
DOI:
--
发表时间:
--
期刊:
发光学报
影响因子:
--
作者:
[徐天宁, 金国芬, 陈笑松, 吴惠桢, 张莹莹, 王双江]
通讯作者:
王双江
Band Gap Energies and Refractive Indices of Epitaxial Pb1-xSrxTe Thin Films
外延Pb1-xSrxTe薄膜的带隙能和折射率
DOI:
10.1088/0256-307x/25/9/064
发表时间:
2008-09
期刊:
Chinese Physics Letters
影响因子:
3.5
作者:
[]
通讯作者:
共 19 条
基于人工微纳光学结构调控的非制冷PbSe中波红外光子型探测器研究
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批准号:U1737109
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项目类别:联合基金项目
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资助金额:53.0万元
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批准年份:2017
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负责人:吴惠桢
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依托单位:
CdTe/PbTe异质结二维电子气的电学特性研究
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批准号:11374259
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项目类别:面上项目
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资助金额:89.0万元
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批准年份:2013
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负责人:吴惠桢
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依托单位:
半导体耦合量子态及红外发光增强研究
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批准号:91021020
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项目类别:重大研究计划
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资助金额:70.0万元
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批准年份:2010
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负责人:吴惠桢
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依托单位:
分子束外延PbTe、PbSe窄带隙半导体量子结构的新型光电特性研究
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批准号:10974174
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项目类别:面上项目
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资助金额:39.0万元
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批准年份:2009
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负责人:吴惠桢
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依托单位:
IV-VI族半导体低维结构的光、电、磁学特性及其中红外激光器研究
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批准号:10434090
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项目类别:重点项目
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资助金额:100.0万元
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批准年份:2004
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负责人:吴惠桢
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依托单位:
ZnO晶体薄膜及其量子点结构的光学性质研究
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批准号:10174064
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项目类别:面上项目
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资助金额:19.0万元
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批准年份:2001
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负责人:吴惠桢
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依托单位:
微腔结构半导体激光器的动力学研究
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批准号:69606006
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:1996
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负责人:吴惠桢
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依托单位:
国内基金
海外基金