IV-VI族半导体低维结构的光、电、磁学特性及其中红外激光器研究

以微量气体检测为应用背景，以研制高性能IV-VI族半导体中红外激光器为总体目标，系统研究IV－VI族半导体低维结构（包括量子阱、超晶格和量子点）的应变及其弛豫机制、光学跃迁、电子（包括自旋偏振和非偏振电子）输运等光、电和磁学特性。考虑到应变对IV-VI族半导体的纵向能谷和斜能谷的重要作用，重点研究应变与能带结构、光、电和磁特性之间的内在关联。深入研究电子－声子的散射机制，探索提高导热性能的新途径，为IV－VI族光电器件的研制提供创新性的物理基础。突破IV－VI族激光器的关键技术，研制出性能优良的中红外激光器的原型器件。.通过自组织和模版生长的方法制备分布均匀的PbSe和稀磁PbMnSe量子点结构，深入分析应力的各向异性对量子点结构的影响；研究自旋偏振电子在PbSe、PbMnSe等微结构材料中的注入和输运特性。建立我国IV－VI族半导体微结构材料、物理研究的平台。