在对比研究无压、热压、SPS法制备的ZrB2陶瓷XRD过程中发现SPS样品中ZrB2晶粒通常有明显的择优取向，无压或热压样品则没有这种现象，说明SPS电流有诱导ZrB2晶粒各向异性长大并生成择优织构作用。这种与电流有关独特现象非常重要（Adv Mater 2018, 1706369; MRS Bull. 2021 (46) 52）。本项目旨在阐述SPS电流诱导ZrB2晶粒择优取向生长规律及机理，随着研究逐步深入，最后锁定在界面结构对电流的响应上。具体结果如下： .（1）以市购ZrB2粉末为原料采用热压法制备ZrB2陶瓷材料，研究高温压缩变形对取向织构的影响，发现50MPa恒压作用下加热到2100°C过程中样品产生的变形可忽略不计，ZrB2晶粒随机取向不因为压缩变形而发生明显变化。 .（2）以市购ZrB2粉末为原料添加1-10mol%Si采用热压法制备ZrB2陶瓷，发现在5mol%Si成分样品中ZrB2晶粒呈片形（长径比1.7±1.0）但呈随机取向，不形成明显的取向织构。 .（3）使用ZrB中间体制备ZrB2陶瓷材料，开发一个新的ZrB2陶瓷反应烧结体系。ZrB在1250°C发生包析分解ZrB→ZrB2+Zr；1661°C发生共晶反应ZrB2+Zr→L，生成液相促进致密化；随后液相中的Zr成分又与添加的B反应生成ZrB2，最终获得致密细晶单相ZrB2陶瓷材料。探索了ZrB中间体的合成工艺方法。.（4）采用反应烧结法制备ZrB2陶瓷，展示SPS电流对ZrB2取向织构及ZrB2晶粒各向异性长大的特殊作用。通过ZrB2晶粒成核、ZrB2晶粒生长所处化学环境、界面结构深入研究，发现ZrB2晶核长大过程包括B原子扩散和Zr格子改变构型两个过程，需要同时协调与周围Zr母相的结构和成分差异。ZrB2晶核的(001)ZrB2底面外延生长有一薄层Zr(B,O)2，阻碍ZrB2晶粒沿垂直于（001）方向长大，从而引导大长径比片晶的生长。电流影响O空位的生成及扩散（Acta Mater. 2015 (95) 111），促进ZrB2取向织构的形成。 .（5）采用反应热压法制备MBx-MC陶瓷材料，研究界面化学、界面结构及其对材料力学行为的影响。发现B在晶界富聚增加界面结合强度，使MC陶瓷断裂方式由沿晶断为穿晶断裂，展示出界面对于陶瓷材料的重要性。