有机电子学是一个非常活跃的研究领域，由于其巨大的应用潜力而受到广泛的关注。然而相比于无机半导体，有机半导体的迁移率仍然比较低，这限制了其在实际器件中的应用。为了制备高迁移率器件，无机半导体采用了超晶格量子阱结构。超晶格是将两种不同半导体材料的薄层做成重复相间的多层结构，为一种人造的周期性结构。对于有机超晶格，例如有机发光二极管中的量子阱结构以及在结晶体系并五苯和并四苯超晶格，其主要困难在于材料为非晶性周期结构而没有形成很好外延或者结晶时表面粗糙度较大。在我们以前的研究工作中，观察到了金属酞菁化合物在六联苯单分子层上表现出弱取向外延生长，其薄膜由大面积连续的晶畴组成，表面粗糙度非常小，在分子水平量级。该方法解决了有机半导体在制备超晶格上的困难。因此，本项目拟对金属酞菁化合物体系的有机半导体超晶格进行研究，揭示其能级结构和周期性与光学和电学特性的关系，并且探索在有机电子器件上的实际应用。