半导体器件尺寸的日益缩小,使制作器件的材料的边缘所特有的某些效应,对于材料与器件的影响越来越显著.申请人近期研究发现,在微区外延SiGe/Si异质结构材料时，当窗口尺寸小于20微米时，随着窗口尺寸减小，在SiGe/Si的失配位错减少的同时，发生了应变弛豫反常增加的现象。研究表明，这一现象是掩膜和外延膜的边缘效应引起的。众所周知，应变异质结构材料的许多物理性质都与材料的应变有着密切关系。本项申请是在上述研究的基础上，将对微区外延中，掩膜和外延膜的边缘效应，以及边缘效应引起的异质结材料的应变，失配位错，退火效应，SiGe/Si结特性及其他物理性质的变化，进行深入系统的研究。并利用边缘效应试研制全弛豫的SiGe膜与应变Si膜，为研制高速MOS器件探索研制材料的途径。本项研究的结果不仅对于SiGe/Si材料与器件有重要的意义，而且对与其它半导体异质结材料和器件有重要的应用价值。