c轴LiNbO3/金刚石/硅多层结构在高频SAW器件中具有广阔的应用前景。本项目拟在LiNbO3与金刚石之间引入与LiNbO3具有相反温度系数的缓冲层如非晶SiO2，以解决由于金刚石高温易氧化及金刚石与LiNbO3之间存在较大的晶格失配导致高质量c轴LiNbO3薄膜难以制备且多层结构的温度系数较大的问题。采用脉冲激光沉积法制备LiNbO3薄膜，探索工艺参数对非晶SiO2作为缓冲层的金刚石/硅衬底上制备LiNbO3薄膜的取向性、结晶质量、化学计量比及表面形貌的影响，优化工艺参数，阐明非晶SiO2上LiNbO3薄膜取向生长的物理机制，研究缓冲层和LiNbO3膜对多层结构声表面波性能的影响；通过理论分析获得优异的缓冲层备选材料，并研究部分缓冲层备选材料对LiNbO3膜的制备与多层结构声表面波性能的影响，探索优异的缓冲层材料，为LiNbO3薄膜高频SAW器件的研制奠定基础。