硅—二氧化硅界面缺陷与过渡族元素相互作用
批准号:
69076418
项目类别:
面上项目
资助金额:
3.5 万元
负责人:
陈开茅
依托单位:
学科分类:
半导体器件物理
结题年份:
1992
批准年份:
1990
项目状态:
已结题
项目参与者:
陈开茅、曾树荣、武兰青、许惠英
关键词:
固体C60/GaAs和InP等化合物半导体异质结形成机理
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批准号:19774003
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项目类别:面上项目
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资助金额:11.0万元
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批准年份:1997
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负责人:陈开茅
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依托单位:
固体C60(C70)/硅(锗)半导体接触物理性质研究
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批准号:19574007
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项目类别:面上项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:1995
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负责人:陈开茅
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依托单位:
氮影响难熔金属/砷化镓肖特基势垒物理机制
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批准号:19274005
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项目类别:面上项目
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资助金额:6.0万元
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批准年份:1992
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负责人:陈开茅
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依托单位:
硅和砷化镓表面薄层杂质缺陷及界面态的研究(I)
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批准号:68776033
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项目类别:面上项目
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资助金额:2.0万元
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批准年份:1987
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负责人:陈开茅
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依托单位:
国内基金
海外基金