课题基金基金详情
硅和砷化镓表面薄层杂质缺陷及界面态的研究(I)
批准号：
68776033
项目类别：
面上项目
资助金额：
2.0 万元
负责人：
陈开茅
依托单位：
北京大学
学科分类：
F0405.半导体器件物理
结题年份：
1989
批准年份：
1987
项目状态：
已结题
项目参与者：
陈开茅
关键词：
硅砷化镓界面态杂质缺陷表面薄层
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固体C60/GaAs和InP等化合物半导体异质结形成机理
  • 批准号：
    19774003
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    11.0万元
  • 批准年份：
    1997
  • 负责人：
    陈开茅
  • 依托单位：
    北京大学
固体C60(C70)/硅(锗)半导体接触物理性质研究
  • 批准号：
    19574007
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    10.0万元
  • 批准年份：
    1995
  • 负责人：
    陈开茅
  • 依托单位：
    北京大学
氮影响难熔金属/砷化镓肖特基势垒物理机制
  • 批准号：
    19274005
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    6.0万元
  • 批准年份：
    1992
  • 负责人：
    陈开茅
  • 依托单位：
    北京大学
硅—二氧化硅界面缺陷与过渡族元素相互作用
  • 批准号：
    69076418
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    3.5万元
  • 批准年份：
    1990
  • 负责人：
    陈开茅
  • 依托单位：
    北京大学
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