用于材料表面、界面研究的单色正电子束研究
批准号：
19805010
项目类别：
青年科学基金项目
资助金额：
17.0 万元
负责人：
魏龙
依托单位：
中国科学院高能物理研究所
学科分类：
A3004.核分析技术及应用
结题年份：
2001
批准年份：
1998
项目状态：
已结题
项目参与者：
张天保、孟伯年、李大庆、肖风美、王耘波、陈红民、岳勇、于润升、张彩霞
关键词：
正电子湮没.正电子束流.表面界面
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