III-V族半导体量子点的非线性与超快光谱研究

批准号:
10674131
项目类别:
面上项目
资助金额:
30.0 万元
负责人:
张新惠
依托单位:
学科分类:
A2002.凝聚态物质力热光电性质
结题年份:
2009
批准年份:
2006
项目状态:
已结题
项目参与者:
徐仲英、孙征、王宝瑞、王海莉
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中文摘要
本项目将利用非线性及超快激光光谱,对III-V族半导体量子点的非线性光学响应, 以及该材料中电子,空穴及其自旋的寿命与弛豫动力学问题进行研究。利用Z-Scan非线性光谱, 对III-V族半导体量子点的克尔系数, 双光子吸收系数等基本的非线性光学响应参数做系统的研究比较。这不仅是此材料基础物性的重要组成部分,也对开发研制近红外量子点激光器、全光调制器等具有重要意义。而利用飞秒(皮秒)超快光谱技术, 本项目拟研究量子点中载流子自旋的寿命与弛豫动力学问题,尤其是将着重于量子点中空穴及其自旋的寿命与弛豫动力学机理,探讨声子、载流子散射及自旋-轨道耦和相互作用对量子点中空穴自旋寿命的影响, 并希望在实验上区分Dresselhaus与Rashba 效应引起的不同自旋-轨道耦和相互作用对自旋寿命影响的相对贡献。此项研究不仅具有重要的基础物理研究意义, 也是量子点作为发展Qubits可行性的基础性探讨。
英文摘要
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The refractive nonlinearities of InAs/GaAs quantum dots above-bandgap energy
InAs/GaAs量子点带隙能量以上的折射非线性
DOI:10.1016/j.optcom.2009.12.002
发表时间:2010-04
期刊:Optics Communications
影响因子:2.4
作者:Huang, X.;Zhang, X. H.;Zhu, Y. G.;Li, T.;Han, L. F.;Shang, X. J.;Ni, H. Q.;Niu, Z. C.
通讯作者:Niu, Z. C.
Spin relaxation and dephasing mechanism in (Ga,Mn)As studied by time-resolved Kerr rotation
通过时间分辨克尔旋转研究 (Ga,Mn)As 中的自旋弛豫和移相机制
DOI:10.1063/1.3116716
发表时间:2009-04
期刊:Applied Physics Letters
影响因子:4
作者:Zhu, Yonggang;Zhang, Xinhui;Li, Tao;Chen, Lin;Lu, Jun;Zhao, Jianhua
通讯作者:Zhao, Jianhua
Hole Spin Relaxation in an Ultrathin InAs Monolayer
超薄 InAs 单层中的空穴自旋弛豫
DOI:10.1088/0256-307x/26/5/057303
发表时间:2009-04
期刊:Chin. Phys. Lett., 25, 274 (2008)
影响因子:--
作者:张新惠
通讯作者:张新惠
Temperature dependence of hole spin relaxation in ultrathin InAs monolayers
超薄 InAs 单层中空穴自旋弛豫的温度依赖性
DOI:10.1016/j.physe.2009.12.050
发表时间:2010-03
期刊:Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures
影响因子:--
作者:Li, T.;Zhang, X. H.;Zhu, Y. G.;Huang, X.;Han, L. F.;Shang, X. J.;Ni, H. Q.;Niu, Z. C.
通讯作者:Niu, Z. C.
Co基Heusler铁磁薄膜/窄禁带半导体异质结自旋泵浦效应的超快磁光光谱研究
- 批准号:--
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:62万元
- 批准年份:2020
- 负责人:张新惠
- 依托单位:
三维狄拉克半金属Cd3As2的超快与磁光光谱研究
- 批准号:11774337
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:64.0万元
- 批准年份:2017
- 负责人:张新惠
- 依托单位:
二维层状纳米材料的谷极化与谷电子/自旋弛豫动力学研究
- 批准号:11474276
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:98.0万元
- 批准年份:2014
- 负责人:张新惠
- 依托单位:
半导体二维电子体系自旋退相干与自旋输运实验研究:自旋-轨道耦合效应
- 批准号:11274302
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:93.0万元
- 批准年份:2012
- 负责人:张新惠
- 依托单位:
III-V族半导体自旋电子器件相关材料的磁化与自旋弛豫超快动力学研究
- 批准号:10974195
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:43.0万元
- 批准年份:2009
- 负责人:张新惠
- 依托单位:
国内基金
海外基金
