III-V族半导体量子点的非线性与超快光谱研究

本项目将利用非线性及超快激光光谱,对III-V族半导体量子点的非线性光学响应, 以及该材料中电子,空穴及其自旋的寿命与弛豫动力学问题进行研究。利用Z-Scan非线性光谱, 对III-V族半导体量子点的克尔系数, 双光子吸收系数等基本的非线性光学响应参数做系统的研究比较。这不仅是此材料基础物性的重要组成部分,也对开发研制近红外量子点激光器、全光调制器等具有重要意义。而利用飞秒（皮秒）超快光谱技术, 本项目拟研究量子点中载流子自旋的寿命与弛豫动力学问题，尤其是将着重于量子点中空穴及其自旋的寿命与弛豫动力学机理，探讨声子、载流子散射及自旋-轨道耦和相互作用对量子点中空穴自旋寿命的影响, 并希望在实验上区分Dresselhaus与Rashba 效应引起的不同自旋-轨道耦和相互作用对自旋寿命影响的相对贡献。此项研究不仅具有重要的基础物理研究意义, 也是量子点作为发展Qubits可行性的基础性探讨。