基于硅基一维纳米线的纳米晶体管是当今一个热点研究课题，该器件是未来纳米器件的主要发展方向之一，本研究是一项理论和实验相结合的课题：.理论方面采用工艺模拟软件实现器件制备的工艺仿真,和我们特殊的工艺制备完全一致，还采用非平衡格林函数对硅纳米线及硅纳米管的传输特性、光电流特性等进行仿真和模拟。.实验方面要在SOI 晶片上制备出Gate-all-around晶体管并完成测试，其关键技术硅纳米线的制备技术已经被突破，我们采用自上而下的正向方法制备出空间上垂直排列相互平行的多条硅纳米线，其最小尺寸到达9纳米，该工艺经过反复验证，重复率高、切实可行，如果配合电子束曝光或者采用业界先进工艺一步刻蚀出50纳米左右的线宽，非常容易获得一致相当好的硅纳米线，该技术是现有制备硅纳米线中最简单、成本最低的，适合业界的工业大批量生产，具有一定的潜在商业价值，希望该计算能够和美国伯克利Fin FET技术一样，日后获得业界认可，用于10纳米以下产品中。我们在此基础上成功制备的硅纳米线为导电沟道的gate-all-around（环栅）晶体管，导通关断比达到10的8次方，为解决微电子行业10年后产业发展瓶颈提供一种技术解决方案、一种可能性，有前瞻性和自主知识产权。