单层薄膜界面超导增强效应

批准号:
11774427
项目类别:
面上项目
资助金额:
62.0 万元
负责人:
张超凡
依托单位:
学科分类:
A2004.凝聚态物质电子结构
结题年份:
2021
批准年份:
2017
项目状态:
已结题
项目参与者:
邓明堂、王广、王红岩、崔文达、于亚运、杨旭
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中文摘要
界面超导是超导家族的一个新成员。研究界面超导增加机理也是最近凝聚态物理界的热点问题。单层FeSe薄膜超导是目前唯一一种具有不寻常界面超导增强的材料,声子-电子耦合被认为是其超导增强的主要原因之一,然而要证明这一点需要更多的证据。本项目提供了两条技术路线寻找新的界面超导材料,一种是在SrTiO3表面生长二维材料NbSe2,本项目前期实验中已经观察到了NbSe2的电子与衬底的声子的强耦合效应和超导增强,将继续研究他们的对应关系。另一种是在InSb衬底材料上生长FeSe薄膜,目前已经观察到了InSb纳米线会使表面的金属超导增强,本项目将继续观察其是否也会让FeSe的超导得到增强。本项目的两条路线都基于前期成功的准备工作,可行性较高。如果本项目成功实施,将对解释界面超导增强机理提供非常重要的实验支持。
英文摘要
Interfacial superconductor is a new member of superconductor family. The research on the interficial superconductivity enhancement mechanism has became a hot topic in condensed matter physics. Monolayer FeSe thin film has been proved to be the only one material with nontrival interfacial superconductivity enhancement. By now electron phonon coupling was recognized as one of the main reasons that responsible for the Tc enhancement. However, we need more evidences to prove this claim. In this project, we provide two methods in searching the new interfacial superconductivity materials. The first one is growing two dimensional NbSe2 thin films on the surface of SrTiO3, we have observed the strong coupling between the electron of surface NbSe2 and the phonon of the substrate in the formal experiments of the project, and we will continue to study their connection. The second is growing FeSe thin film on the surface of InSb, we have observed the superconductivity enhancement in the metal covered InSb nanowire surfaces. In this project, we will continue working on the possibility of the enhancement of FeSe superconductivity. The two methods mentioned in this project are both based on the very successful preparation work and with high feasibility. If we achieved all the targets in this project, it should provide a huge experimental support to the understanding of the interfacial superconductivity enhancement.
本项目主要开展薄膜界面超导增强效应的研究,开展了NbSe2/STO, GdTe3/SiC, UTe2/SiO2等薄膜样品的生长。NbSe2/STO观察到了很强的界面耦合现象。GdTe3/SiC在高温区发现了未被报道的新的物相,六重对称的新材料。UTe2薄膜样品致力于研究其薄层下的拓扑超导特性,为未来UTe2在器件中的应用提供物理支撑。在项目研究的过程中,课题组发明了多款拥于自主知识产权的实验仪器,包括小光斑真空紫外激光光源、大角度远场显微镜、真空长焦距高放大倍数显微镜等。这些新设备已经得到了多个高校和研究机构的采购,并得到应用且产生了数百万的产值,在材料的研究方面已经发挥了重要作用,利用新仪器与国内同行合作,在MnBixTey等材料的研究中取得了非常好的数据和结果。同时本项目已经生长了10余种高质量的单晶样品,也提供给了多家国内研究单位开展研究。
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
Tunable multicolor and enhanced red emission of monodisperse CaF2:Yb3+/Ho3+ microspheres via Mn2+ doping
通过 Mn2 掺杂实现单分散 CaF2:Yb3 /Ho3 微球的可调多色和增强红光发射
DOI:10.1016/j.optmat.2018.03.048
发表时间:2018-05
期刊:Optical Materials
影响因子:3.9
作者:Wang Rui;Yuan Maohui;Zhang Chaofan;Wang Hongyan;Xu Xiaojun
通讯作者:Xu Xiaojun
Topological Lifshitz transition of the intersurface Fermi-arc loop in NbIrTe4
NbIrTe4 表面费米弧环的拓扑 Lifshitz 跃迁
DOI:10.1103/physrevb.102.085126
发表时间:2020-08-13
期刊:PHYSICAL REVIEW B
影响因子:3.7
作者:Ekahana, S. A.;Li, Y. W.;Chen, Y. L.
通讯作者:Chen, Y. L.
DOI:10.1146/annurev-matsci-070218-121852
发表时间:2020-07
期刊:Annual Review of Materials Research
影响因子:9.7
作者:Chaofan Zhang;Yiwei Li;Ding Pei;Zhongkai Liu;Yulin Chen
通讯作者:Yulin Chen
Topological Electronic Structure and Its Temperature Evolution in Antiferromagnetic Topological Insulator MnBi2Te4
反铁磁拓扑绝缘体MnBi2Te4的拓扑电子结构及其温度演化
DOI:10.1103/physrevx.9.041040
发表时间:2019-11-21
期刊:PHYSICAL REVIEW X
影响因子:12.5
作者:Chen, Y. J.;Xu, L. X.;Chen, Y. L.
通讯作者:Chen, Y. L.
Exploiting the silent upconversion emissions from a single β-NaYF4:Yb/Er microcrystal via saturated excitation
通过饱和激发利用单个 β-NaYF4:Yb/Er 微晶的无声上转换发射
DOI:10.1039/c8tc02193g
发表时间:2018-10-14
期刊:JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C
影响因子:6.4
作者:Yuan, M.;Wang, R.;Xu, X.
通讯作者:Xu, X.
拓扑超导体UTe2微区分辨电子结构
- 批准号:2023JJ10051
- 项目类别:省市级项目
- 资助金额:0.0万元
- 批准年份:2023
- 负责人:张超凡
- 依托单位:
国内基金
海外基金
