隧穿场效应晶体管（Tunneling-FET, TFET）是目前国际上研究比较热门的器件。基于TFET的存储器结构具有很强的产业化实用价值，还有着很强的前瞻性和基础研究性质。本课题主要研究基于TFET器件的存储器。主要是选择了TFET-RRAM和半浮栅晶体管（TFET-DRAM）进行研究。最终，选定半浮栅晶体管为主要研究内容，展开了一系列研究工作。发展出半浮栅晶体管这种新型器件的系列。..具体研究了：.1)半浮栅晶体管在高技术节点的实现以及器件性能的优化：.强化对SFGT的基础原理的深入研究，掌握器件速度、面积、功耗和器件结构设计之间的关系，研究器件微缩的极限；.研究SFGT存储器的60纳米、40纳米甚至22纳米的三维器件结构，使其单元面积大大缩小。.研究TFET在SFGT中的作用及对性能的影响，将SFGT中的TFET单独进行研究和改进；.针对SFGT进行存储应用的器件优化和设计。.2) 半浮栅晶体管器件spice模型建模：.建立器件的等效电路spice建模，使之成为一个基础电路元器件可以在HSPICE／PSPICE软件环境下仿真。.进行寄生参数提取，优化字线和位线结构，优化信噪比。.阵列设计、阵列dummy器件等问题，得到高良率的存储器器件阵列；.3)基于半浮栅晶体管存储阵列可靠性测试及可制造性改良；.建设高速DRAM器件的高速测试环境,完善半浮栅器件级和芯片级测试系统；.分析和评估基于半浮栅晶体管DRAM器件的可靠性问题，设计适合于DRAM应用中可靠性研究的可靠性测试结构的设计，制造高可靠性存储阵列；.分析半浮栅晶体管的阵列干扰机制、数据保持时间并进行优化。..重要结果：.设计并制造出了半浮栅晶体管，建立了该器件的相关理论体系，并逐渐开始小规模量产。..关键数据：.发表论文5篇，其中美国科学杂志1篇，专利授权10项。..科学意义：.实现了一种新型晶体管，并初步实现产业化。