一种新结构主振光放大高功率半导体激光器
批准号：
60477010
项目类别：
面上项目
资助金额：
23.0 万元
负责人：
薄报学
依托单位：
学科分类：
光子与光电子器件
结题年份：
2007
批准年份：
2004
项目状态：
已结题
项目参与者：
马晓辉、高欣、胡放荣、董明礼、刘春玲、张悦苏
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结项摘要
项目成果
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中文摘要
本项目在研究目前已有的主振光放大半导体激光器的基础上提出一种以半环形腔基模半导体激光器为主振光源的新结构单片集成主振光放大高功率半导体激光器。本项目拟对提出的器件结构开展以下方面的研究工作：器件特性数值模拟；以反应离子刻蚀为重点的器件制作工艺；以输出光束质量为重点的器件稳态特性测试分析；器件调制特性测试分析。本研究提出的新结构主振光放大半导体激光器具有制作工艺简单、结构新颖的特点，并有可能因此获得具有较高电光转换效率的高光束质量高功率半导体激光器。高光束质量的高功率半导体激光器被认为是空间（或大气）光通信的理想光源，能够满足未来空间光通信对激光器光束质量、重量、效率和可靠性等方面的苛刻要求。因此，该项具有十分重要的应用前景。
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DOI：
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发表时间：
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期刊：
中国激光, 34(11): 1472-1475, 2007 (EI收录)
影响因子：
--
作者：
[高欣, 薄报学, 张晶, 王玉霞, 李]
通讯作者：
高欣, 薄报学, 张晶, 王玉霞, 李
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
中国激光, 35(2): 1-4, 2008 (EI收录, 已录用)
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
中国科学 E辑 技术科学, 36(3): 341-346, 2006 (SCI收录)
影响因子：
--
作者：
[曲轶, J. X. Zhang, A. Uddin, S]
通讯作者：
曲轶, J. X. Zhang, A. Uddin, S
980 nm QCW high power semicond
980 nm QCW 高功率半导体
980 nm QCW 高功率半导体
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
--
作者：
[Xin Gao, Baoxue Bo, Yi Qu]
通讯作者：
Xin Gao, Baoxue Bo, Yi Qu
DOI：
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发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Xin Gao, Baoxue Bo, Yi Qu, Jin]
通讯作者：
Xin Gao, Baoxue Bo, Yi Qu, Jin
共 17 条
基于扩展透明窗口的1.06um波长高功率、高阶DFB单模半导体激光器研究
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批准号：61774024
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项目类别：面上项目
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资助金额：67.0万元
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批准年份：2017
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负责人：薄报学
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依托单位：
一种基于波导界面反射的集成MOPA大功率半导体激光器
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批准号：61177019
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项目类别：面上项目
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资助金额：60.0万元
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批准年份：2011
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负责人：薄报学
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依托单位：
国内基金
海外基金