非极性面氮化镓衬底的HVPE生长制备及膜层中应力演变的实时研究
批准号：
60776003
项目类别：
面上项目
资助金额：
29.0 万元
负责人：
徐科
依托单位：
学科分类：
半导体材料
结题年份：
2010
批准年份：
2007
项目状态：
已结题
项目参与者：
王建峰、刘争晖、黄凯、张朝晖
项目摘要
结项摘要
项目成果
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中文摘要
III族氮化物的光电子器件要求进一步降低材料中缺陷密度、器件的量子结构设计尽可能克服自发极化电场和压电电场带来的负面效应。因而对发展非极性面的高质量同质GaN衬底提出了迫切要求。本项工作在自行设计搭建的五温区HVPE系统中引入了原位光学应力监控系统，可以实时研究外延生长中薄膜应力的演化。通过实时原位应力监控，深入系统研究HVPE生长条件对GaN厚膜（大于100微米）应力演化的影响规律，达到对晶片应力的优化控制；进一步通过采用在HVPE生长过程直接使用异质缓冲层、插入层、Si掺杂来调控GaN中的应力，实现300微米以上厚度的2英寸GaN的HVPE生长；在上述基础上探索GaN在生长过程中和异质衬底的自分离技术方案，制备出完整的2英寸非极性面GaN同质衬底。本项目的实施可望为大规模制备GaN衬底提供一种可行的方案。
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High-resolution X-ray diffraction analysis on HVPE-grown thick GaN layers
HVPE 生长的厚 GaN 层的高分辨率 X 射线衍射分析
HVPE 生长的厚 GaN 层的高分辨率 X 射线衍射分析
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2009.01.050
发表时间：
2009-05-01
期刊：
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
影响因子：
1.8
作者：
[Liu, J. Q., Wang, J. F., Yang, H.]
通讯作者：
Yang, H.
Hydride vapor phase epitaxial growth of thick GaN layers with in-situ optical monitoring
具有原位光学监测的厚 GaN 层的氢化物气相外延生长
具有原位光学监测的厚 GaN 层的氢化物气相外延生长
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2009.01.072
发表时间：
2009-05
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
[]
通讯作者：
Growth behavior of GaN film along non-polar [11-20] directions
GaN薄膜沿非极性[11-20]方向的生长行为
GaN薄膜沿非极性[11-20]方向的生长行为
DOI：
10.1016/j.physb.2010.10.007
发表时间：
2011
期刊：
Physica B-Condensed Matter
影响因子：
2.8
作者：
[Bian, Lifeng, Yang, Hui, Wang, Jianfeng, Gong, Xiaojing, Zhang, Jingping, Xu, Zijian, Xu, Ke]
通讯作者：
Xu, Ke
DOI：
10.1088/1674-1056/19/7/076804
发表时间：
2010-07
期刊：
Chinese Physics B
影响因子：
1.7
作者：
[Guoxi Xi;Wang Yu-Tian;Zhao De-gang;Jiang De-sheng;Zhu Jian-Jun;Liu Zong-shun;Wang Hui;Zhan Shu-ming;Qiu Yong-Xin;Xu Ke;Yang Hui]
通讯作者：
Guoxi Xi;Wang Yu-Tian;Zhao De-gang;Jiang De-sheng;Zhu Jian-Jun;Liu Zong-shun;Wang Hui;Zhan Shu-ming;Qiu Yong-Xin;Xu Ke;Yang Hui
Structural and optical properties of nearly stress-free m-plane ZnO film on (100) gamma-LiAlO2 with a GaN buffer layer by metal-organic chemical vapor deposition
通过金属有机化学气相沉积在具有 GaN 缓冲层的 (100) γ-LiAlO2 上近无应力 m 面 ZnO 薄膜的结构和光学特性
通过金属有机化学气相沉积在具有 GaN 缓冲层的 (100) γ-LiAlO2 上近无应力 m 面 ZnO 薄膜的结构和光学特性
DOI：
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发表时间：
--
期刊：
Applied Surface Science
影响因子：
6.7
作者：
[Lin, Hui, Xie, Zili, Jia, Tingting, Xu, Ke, Gu, Shulin, Hou, Xiaorui, Han, Ping, Zhang, Rong, Zhu, Shunming, Teng, Hao, Zhou, Shengming]
通讯作者：
Zhou, Shengming
共 9 条
二维晶体材料上低缺陷密度氮化镓生长及物性研究
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批准号：61734008
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项目类别：重点项目
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资助金额：280.0万元
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批准年份：2017
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负责人：徐科
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依托单位：
国内基金
海外基金