新型快速响应RCE紫外探测器的基础研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:60676057
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:29.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0405.半导体器件物理
- 结题年份:2009
- 批准年份:2006
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2007-01-01 至2009-12-31
- 项目参与者:韩平; 赵红; 刘斌; 姬小利; 周建军; 李雪飞; 朱顺明; 李鑫;
- 关键词:
项目摘要
GaN基三元合金AlxGa1-xN,随Al组分的变化带隙在3.4~6.2eV之间连续变化。其带隙变化对应的波长范围为200~365nm,覆盖了地球上大气臭氧层吸收光谱区(230~280nm),是制作太阳盲区紫外探测器的理想材料之一。基于AlGaN的紫外探测器的性能大大超过了传统的紫外光电探测器。它能够有效地探测、跟踪释放出大量紫外线的飞行目标。同时也可以在监控喷气发动机与汽车发动机、森林火灾预警等
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(38)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(15)
专利数量(2)
Mg掺杂的AlGaN的MOCVD生长
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:激光与红外
- 影响因子:--
- 作者:张荣;刘斌;姚靖;谢自力;施毅;韩平;龚海梅;刘启佳;郑有炓;徐峰;江若琏
- 通讯作者:江若琏
高分辨率X射线衍射研究InGaN/GaN多量子阱结构In组分及厚度
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:功能材料
- 影响因子:--
- 作者:江若琏;顾书林;韩平;谢自力;郑有炓;修向前;张荣;李弋;刘斌;施毅
- 通讯作者:施毅
Mg掺杂AlGaN的特性研究
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:微纳电子技术
- 影响因子:--
- 作者:修向前
- 通讯作者:修向前
阴极荧光联合分析系统在III族氮化物研究中的应用
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:半导体学报
- 影响因子:--
- 作者:赵红;陆海;刘斌;李亮;韩平;修向前;江若琏;张荣;郑有炓;刘战辉;谢自力
- 通讯作者:谢自力
Study of buffer and epitaxy technology in two-step growth of aluminium nitride
氮化铝两步生长缓冲及外延技术研究
- DOI:10.1007/s11431-008-0132-7
- 发表时间:2008-10
- 期刊:Science in China Series E-Technological Sciences
- 影响因子:--
- 作者:Xie ZiLi;Liu Bin;Nie Chao;Gong HaiMei;Han Ping;Zheng YouDou;Yao Jing;Zhang Rong;Xiu XiangQian;Xu Feng;Liu QiJia
- 通讯作者:Liu QiJia
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其他文献
热退火对InGaN薄膜性质的影响
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:半导体学报,27(12), 92-96(2006)
- 影响因子:--
- 作者:文博;*江若琏;刘成祥;谢自力
- 通讯作者:谢自力
Si(110)和Si(111)衬底上制备InGaN/GaN 蓝光发光二极管
- DOI:--
- 发表时间:2014
- 期刊:物理学报
- 影响因子:--
- 作者:张荣;修向前;谢自力;单云
- 通讯作者:单云
氮气载气流量和系统温度对GaN膜质量的影响
- DOI:--
- 发表时间:2013
- 期刊:半导体技术
- 影响因子:--
- 作者:李庆芳;修向前;张荣;谢自力
- 通讯作者:谢自力
Fe/GaN、Fe_3N/GaN的生长及其性能研究
- DOI:--
- 发表时间:2012
- 期刊:功能材料
- 影响因子:--
- 作者:陶志阔;张荣;陈琳;修向前;谢自力;郑有炓
- 通讯作者:郑有炓
太阳电池转换效率的理论计算
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:半导体学报,28(9), 1392-1395(2007)
- 影响因子:--
- 作者:文博;周建军;*江若琏;谢自力
- 通讯作者:谢自力
其他文献
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