SiC基稀磁半导体薄膜的制备、微结构和磁性研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:50802023
- 项目类别:青年科学基金项目
- 资助金额:20.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:E0207.无机非金属半导体与信息功能材料
- 结题年份:2011
- 批准年份:2008
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2009-01-01 至2011-12-31
- 项目参与者:张伟风; 王科范; 张华荣; 闫玉丽; 孙献文; 王志强; 刘向阳; 丁玲红; 刘越峰;
- 关键词:
项目摘要
SiC具有带隙宽度大、电子迁移率高、化学稳定性好等优良特性,已应用于高温、高频、抗辐射和大功率器件领域,是一种优良的稀磁半导体材料。本项目拟采用激光分子束外延法,通过控制过渡金属元素的种类、浓度和生长条件制备系列掺杂SiC薄膜。运用扩展X光吸收精细结构谱、高分辨透射电子显微镜、软X射线磁性圆二色谱等表征手段系统地研究掺杂SiC薄膜中过渡金属的存在形式(替位、间隙、团簇和价态),运用拉曼光谱测量掺杂引起的晶体无序和晶格缺陷。明确SiC稀磁半导体薄膜的掺杂原子的种类、浓度、存在形式、晶体缺陷、晶格无序与磁性质的关系。结合第一性原理计算揭示稀磁半导体的磁性来源,从实验研究和理论计算两方面探索居里温度和饱和磁矩的影响因素。为高居里温度(室温以上)、大饱和磁矩(>1 μB/磁性离子)均匀单相的SiC基稀磁半导体单晶薄膜的制备及其器件的实现提供实验和理论依据。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(16)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(1)
ZnO基材料的压电、铁电、介电与多铁性质研究进展
- DOI:--
- 发表时间:2009
- 期刊:硅酸盐通报
- 影响因子:--
- 作者:郑海务
- 通讯作者:郑海务
Separation Mechanism of Photogenerated Charges for p-type alpha-Bi2O3 Nanoparticles with Surface States
表面态p型Bi2O3纳米粒子光生电荷分离机理
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:Applied Surface Science
- 影响因子:6.7
- 作者:zheng hw
- 通讯作者:zheng hw
Electrodeposition of arborous structure nanocrystalline SnO2 and application in flexible dye-sensitized solar cells
电沉积树枝状纳米晶SnO2及其在柔性染料敏化太阳能电池中的应用
- DOI:10.1016/j.jallcom.2011.10.116
- 发表时间:2012-02-25
- 期刊:JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
- 影响因子:6.2
- 作者:Chen, Zeng;Tian, Yafang;Zhang, Weifeng
- 通讯作者:Zhang, Weifeng
Si(111)衬底上六方YMnO3 薄膜的制备与铁电性质
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:材料导报(研究篇)
- 影响因子:--
- 作者:郑海务
- 通讯作者:郑海务
Temperature-Dependent Raman Spectrum of Hexagonal YMnO3 Films Synthesized by Chemical Solution Method
化学溶液法合成六方YMnO3薄膜的温度依赖性拉曼光谱
- DOI:10.1088/0256-307x/27/5/056801
- 发表时间:2010
- 期刊:CHIN. PHYS. LETT.
- 影响因子:--
- 作者:Zheng Haiwu
- 通讯作者:Zheng Haiwu
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其他文献
硅衬底碳化对异质外延SiC薄膜结构的影响
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:材料研究学报
- 影响因子:--
- 作者:傅竹西;苏剑峰;郑海务;朱俊杰;林碧霞
- 通讯作者:林碧霞
硅基片上异质外延SiC的机理研究
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:人工晶体学报
- 影响因子:--
- 作者:朱俊杰;林碧霞;孙贤开;郑海务;姚然;傅竹西
- 通讯作者:傅竹西
硅衬底碳化对异质外延SiC薄膜结
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:材料研究学报, 20(3):231,2006
- 影响因子:--
- 作者:苏剑峰;郑海务;林碧霞;朱俊杰
- 通讯作者:朱俊杰
Au-BiFeO3纳米复合薄膜的电学和光伏性能优化
- DOI:--
- 发表时间:2020
- 期刊:物理学报 [Acta Phys. Sin.]
- 影响因子:--
- 作者:张亚菊;谢忠帅;郑海务;袁国亮
- 通讯作者:袁国亮
退火温度对6H-SiC衬底上ZnO薄膜
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:人工晶体学报,36(6): 1276 (2007)
- 影响因子:--
- 作者:郑海务;孙利杰;张扬;张伟风
- 通讯作者:张伟风
其他文献
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