铁基超导体超导能隙函数和超流密度研究
批准号:
11174350
项目类别:
面上项目
资助金额:
75.0 万元
负责人:
任聪
依托单位:
学科分类:
超导与超流
结题年份:
2015
批准年份:
2011
项目状态:
已结题
项目参与者:
朱军、侯兴元、李春红、王钊胜
中文摘要
高温超导电性自发现以来一直是凝聚态物理学领域的重点研究课题之一, 而铁基超导体的发现为高温超导电性研究另辟蹊径, 有助于揭示高温超导机理. 一个关键而必须解决的问题是铁基超导体超导能隙的大小和电子对的配对对称性. 点接触隧道谱和磁穿透深度测量在研究高温超导体能隙结构和电子配对对称性方面起了重要的作用. 本项目立足于利用点接触隧道谱仪和高灵敏微米霍尔探测仪测量系列掺杂的铁基超导体FeAs基和FeSe基高质量单晶样品的Andreev反射谱和下临界磁场Hc1 以及随温度的依赖关系, 分析并研究铁基超导体的能隙结构, 能隙大小以及超流密度, 以及这些参量在掺杂区的演变规律, 为揭示铁基超导电性提供有力的实验数据。
英文摘要
利用点接触隧道谱技术深入研究铁基超导体系列掺杂样品的超导能隙序参量, 这对深入理解铁基超导电性以及铁基超导配对机理方面有重要意义。 自本项目实施以来,通过项目组全体成员的共同努力,完成了项目的预期目标,在新型铁基超导体,特别是典型的电子型掺杂的铁基超导体BaFeNiAs的超导配对机理方面取得了一些创新性的成果。同时通过本项目的实施,进一步加深了铁基超导机理的认识,为下一步铁基超导体的物性研究打下实验基础。
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Spectroscopic signature of Kondo screening on single adatoms in Na(Fe0.96Co0.03Mn0.01)As
Na(Fe0.96Co0.03Mn0.01)As 中单个吸附原子近藤筛选的光谱特征
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
Physical Review B
影响因子:
3.7
作者:
[Wang, Zhenyu, Fang, Delong, Deng, Qiang, Yang, Huan, Ren, Cong, Wen, Hai-Hu]
通讯作者:
Wen, Hai-Hu
Electron-boson coupling and two superconducting gaps in optimally electron-doped BaFe1.9Ni0.1As2 single crystals
最佳电子掺杂 BaFe1.9Ni0.1As2 单晶中的电子-玻色子耦合和两个超导能隙
DOI:
--
发表时间:
2012
期刊:
Physical Review B
影响因子:
3.7
作者:
[Cong Ren, Zhen-Yu Wang, Hui-Qian Luo, Xing-Ye Lu, Jun Zhu, Chun-Hong Li, Lei Shan, Huan Yang, Hai-Hu Wen]
通讯作者:
Hai-Hu Wen
Elastic anomalies in BaFe2−xNixAs2 crystals
BaFe2−xNixAs2 晶体中的弹性异常
DOI:
10.1016/j.physc.2012.09.009
发表时间:
2012
期刊:
影响因子:
--
作者:
[M. Saint, A. Abbassi, Zhaosheng Wang, H. Luo, Xingye Lu, C. Ren, H. Wen, K. Hasselbach]
通讯作者:
K. Hasselbach
Tunneling spectroscopy of Al/AlOx/Pb subjected to hydrostatic pressure
静水压力下 Al/AlOx/Pb 的隧道光谱
DOI:
10.1063/1.4921276
发表时间:
2015-05
期刊:
Applied Physics Letters
影响因子:
4
作者:
[Zhu Jun, Yang Zheng-Xin, Hou Xing-Yuan, Guan Tong, Zhang Qin-Tong, Li Yong-Qing, Han Xiu-Feng, Zhang Jin, Li Chun-Hong, Shan Lei, Chen Gen-Fu, Ren Cong]
通讯作者:
Ren Cong
DOI:
10.1103/physrevb.85.014524
发表时间:
2011-12
期刊:
Physical Review B
影响因子:
3.7
作者:
[Huan Yang;B. Shen;Zhenyu Wang;L. Shan;C. Ren;H. Wen]
通讯作者:
Huan Yang;B. Shen;Zhenyu Wang;L. Shan;C. Ren;H. Wen
共 8 条
GaAs/AlGaAs亚微米Hall阵列探测仪及其在微磁矩样品测试中的应用
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批准号:60776032
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项目类别:面上项目
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资助金额:37.0万元
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批准年份:2007
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负责人:任聪
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依托单位:
国内基金
海外基金