GaAs/AlGaAs亚微米Hall阵列探测仪及其在微磁矩样品测试中的应用
批准号：
60776032
项目类别：
面上项目
资助金额：
37.0 万元
负责人：
任聪
依托单位：
学科分类：
半导体电子器件与集成
结题年份：
2010
批准年份：
2007
项目状态：
已结题
项目参与者：
贾颖、王钊胜、黄伟文、方磊
项目摘要
结项摘要
项目成果
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中文摘要
介观物质结构的微磁无损探测是涉及多学科的交叉研究领域。利用高迁移率、低电子浓度的半导体调制掺杂的异质结二维电子气微霍尔探测仪检测介观物质的微磁矩，对进一步理解介观物质结构的电磁性质有重要意义。 我们将制备高分辨率的GaAs/AlGaAs异质结二维电子气的微米和亚微米霍尔探测仪，并利用微霍尔探测仪研究高温超导体及多能带超导体MgB2微米单晶的磁通动力学性质及磁通相图，以及NbN超导纳米线的电磁特性。 此项目的研究对进一步深入了解介观物质结构的磁矩的本质、高温超导体及超导纳米结构的磁通物质的动力学性质具有非常重要的意义。
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Low temperature specific heat of the hole-doped Ba0.6K0.4Fe2As2 single crystals
空穴掺杂Ba0.6K0.4Fe2As2单晶的低温比热
空穴掺杂Ba0.6K0.4Fe2As2单晶的低温比热
DOI：
10.1103/physrevb.79.174501
发表时间：
2008-08
期刊：
Physical Review B
影响因子：
3.7
作者：
[Luo, Huiqian, Shan, Lei, Wen, Hai-Hu, Mu, Gang, Wang, Zhaosheng, Ren, Cong]
通讯作者：
Ren, Cong
DOI：
10.1088/0256-307x/27/3/037402
发表时间：
2010-03
期刊：
Chinese Physics Letters
影响因子：
3.5
作者：
[Mu Gang;Zeng Bin;Cheng Peng;Wang Zhao-Sheng;Fang Lei;Shen Bing;S. Lei;R. Cong;Wen Hai-hu]
通讯作者：
Mu Gang;Zeng Bin;Cheng Peng;Wang Zhao-Sheng;Fang Lei;Shen Bing;S. Lei;R. Cong;Wen Hai-hu
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
Physical Review B
影响因子：
作者：
[Ren, Cong, Shan, Lei, Li, S. L., Dai, Pengcheng, Huang, Yan, Wang, Yong-Lei, Wen, Hai-Hu, ]
通讯作者：
Multiple gaps in SmFeAsO0.9F0.1 revealed by point-contact spectroscopy
点接触光谱揭示 SmFeAsO0.9F0.1 中的多个间隙
点接触光谱揭示 SmFeAsO0.9F0.1 中的多个间隙
DOI：
10.1088/0953-2048/22/1/015018
发表时间：
2008
期刊：
Superconductor Science & Technology
影响因子：
3.6
作者：
[Shan, Lei, Wen, Hai-Hu, Fang, Lei, Ren, Cong, Cheng, Peng, Wang, Yong-Lei]
通讯作者：
Wang, Yong-Lei
Physical properties of the noncentrosymmetric superconductor Ru7B3
非中心对称超导体Ru7B3的物理性质
非中心对称超导体Ru7B3的物理性质
DOI：
10.1103/physrevb.79.144509
发表时间：
2009-04-01
期刊：
PHYSICAL REVIEW B
影响因子：
3.7
作者：
[Fang, Lei, Yang, Huan, Wen, Hai-Hu]
通讯作者：
Wen, Hai-Hu
共 10 条
铁基超导体超导能隙函数和超流密度研究
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批准号：11174350
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项目类别：面上项目
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资助金额：75.0万元
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批准年份：2011
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负责人：任聪
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依托单位：
国内基金
海外基金