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Φ2“SI-GaAs单晶材料阈值电压均匀性研究

批准号：
69676003
项目类别：
面上项目
资助金额：
10.0 万元
负责人：
夏冠群
依托单位：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
学科分类：
半导体材料
结题年份：
1999
批准年份：
1996
项目状态：
已结题
项目参与者：
郭方敏、赵建龙、吴剑萍、翁建华、张美圣、朱培青
关键词：
砷化镓单晶阈值电压

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