GaInAsSb室温红外探测器的器件物理研究
结题报告
批准号：
60176011
项目类别：
面上项目
资助金额：
23.5 万元
负责人：
夏冠群
依托单位：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
学科分类：
F0405.半导体器件物理
结题年份：
2004
批准年份：
2001
项目状态：
已结题
项目参与者：
周萍、陈兴国、伍滨和、李志怀、富小妹
关键词：
红外.探测器.镓铟砷锑
国基评审专家1V1指导 中标率高出同行96.8%
结合最新热点，提供专业选题建议
深度指导申报书撰写，确保创新可行
指导项目中标800+，快速提高中标率
客服二维码
微信扫码咨询
中文摘要
镓铟砷锑探测器是可直接在室温下工作的中红外器件，在红外应用方面有广阔的应用前景。本项目通过D*与材料器件参数关系理论研究，开展光学表征与测量，优化探测器的材料结构和器件结设计，采用新工艺技术，抑制表面复合，降低暗电流，提高量子效率与探测率，研制出D*大于1010cm.Hz1/2W-1的新型优质器件。...
英文摘要
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
Φ2“SI-GaAs单晶材料阈值电压均匀性研究
AlGaInP/GaAsHBT和器件高温特性研究
国内基金
海外基金