SiGe窄禁带异质源区功率MOS器件研究

批准号：

60086002

项目类别：

专项基金项目

资助金额：

17.0 万元

负责人：

李平

依托单位：

电子科技大学

学科分类：

半导体材料

结题年份：

2003

批准年份：

2000

项目状态：

已结题

项目参与者：

方健、粟雅娟、张旻、游梦思、王楹、李学宁、廖永波

关键词：

功率MOST 锗硅源区.窄禁区带发射区

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电子科技大学

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