金属硅化物/硅界面低肖特基势垒形成机理的理论研究
批准号：
60876057
项目类别：
面上项目
资助金额：
40.0 万元
负责人：
车静光
依托单位：
学科分类：
半导体器件物理
结题年份：
2011
批准年份：
2008
项目状态：
已结题
项目参与者：
王秦镜、孔令尧、韩晗、潘燕飞
项目摘要
结项摘要
项目成果
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中文摘要
用第一性原理从头计算和实验方法，研究金属硅化物/硅界面肖特基势垒的形成机理和肖特基势垒高度（SBH）的调制。金属硅化物/硅界面会产生不同的界面局域态、界面共振态等，会引起费米能级钉扎，会导致界面两边载流子转移，进而导致能带弯曲或导致界面电偶极矩，因而改变SBH。本项目计划，1、研究金属硅化物和硅的能带结构及其由参考能级确定的相对能带结构关系；2、用不同的掺杂、改变其能带结构；3、界面局域掺杂和引入缺陷，修饰、改变、调制界面能带结构；4、研究界面态对SBH的影响，归纳调制SBH的物理原理，建立调制SBH的模型。本项目技术线路是，通过第一性理论从头计算进行不同方式的SBH调制，建立调制模型，并研究其物理机制。
英文摘要
期刊论文列表
专著列表
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会议论文列表
专利列表
DOI：
10.1103/physrevlett.103.066802
发表时间：
2009-08
期刊：
Physical review letters
影响因子：
8.6
作者：
[Qiming Wang;J. Che]
通讯作者：
Qiming Wang;J. Che
DOI：
10.1209/0295-5075/96/67012
发表时间：
2011-12
期刊：
EPL (Europhysics Letters)
影响因子：
--
作者：
[Hui Wang;J. Che]
通讯作者：
Hui Wang;J. Che
Effects of charged surface states on Sb ad-dimer rotationon Si(001)
带电表面态对 Si(001) 上 Sb 二聚体旋转的影响
带电表面态对 Si(001) 上 Sb 二聚体旋转的影响
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
多功能氧化物在硅衬底上集成的研究
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批准号：61274097
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项目类别：面上项目
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资助金额：80.0万元
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批准年份：2012
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负责人：车静光
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依托单位：
复杂氧化物表面、界面和超薄膜量子调控和剪裁
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批准号：61076083
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项目类别：面上项目
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资助金额：45.0万元
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批准年份：2010
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负责人：车静光
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依托单位：
纳米结量子输运问题的理论研究
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批准号：60576057
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项目类别：面上项目
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资助金额：21.0万元
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批准年份：2005
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负责人：车静光
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依托单位：
电场对表面结构的影响及调制
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批准号：60176005
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项目类别：面上项目
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资助金额：18.0万元
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批准年份：2001
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负责人：车静光
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依托单位：
半导体表面活性剂理论研究
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批准号：69776001
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项目类别：面上项目
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资助金额：10.0万元
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批准年份：1997
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负责人：车静光
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依托单位：
国内基金
海外基金