电场对表面结构的影响及调制
批准号:
60176005
项目类别:
面上项目
资助金额:
18.0 万元
负责人:
车静光
依托单位:
学科分类:
半导体器件物理
结题年份:
2004
批准年份:
2001
项目状态:
已结题
项目参与者:
叶令、何尧、乔峰、舒校坤
中文摘要
用密度泛函理论框架下的第一性原理从头计算赝势方法和外电场作用下的能带计算方法,对在外电场作用下半导体表面的形貌和结构的变化进行研究。着重于:外电场对表面形貌和结构的影响和调制;外电场对表面迁移和生长过程的影响和调制。将给出外电场作为一种表面生长过程控制手段的可能性及方式。
英文摘要
多功能氧化物在硅衬底上集成的研究
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批准号:61274097
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项目类别:面上项目
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资助金额:80.0万元
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批准年份:2012
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负责人:车静光
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依托单位:
复杂氧化物表面、界面和超薄膜量子调控和剪裁
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批准号:61076083
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项目类别:面上项目
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资助金额:45.0万元
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批准年份:2010
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负责人:车静光
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依托单位:
金属硅化物/硅界面低肖特基势垒形成机理的理论研究
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批准号:60876057
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项目类别:面上项目
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资助金额:40.0万元
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批准年份:2008
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负责人:车静光
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依托单位:
纳米结量子输运问题的理论研究
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批准号:60576057
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项目类别:面上项目
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资助金额:21.0万元
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批准年份:2005
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负责人:车静光
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依托单位:
半导体表面活性剂理论研究
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批准号:69776001
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项目类别:面上项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:1997
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负责人:车静光
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依托单位:
国内基金
海外基金