用密度泛函理论框架下的第一性原理从头计算赝势方法和外电场作用下的能带计算方法，对在外电场作用下半导体表面的形貌和结构的变化进行研究。着重于：外电场对表面形貌和结构的影响和调制；外电场对表面迁移和生长过程的影响和调制。将给出外电场作为一种表面生长过程控制手段的可能性及方式。