ZnO是一种重要的宽直接带隙半导体材料，能带间隙及晶格常数与GaN非常接近，但其某些光机电特征明显优于GaN而日益引起关注。通常生长的ZnO材料呈n型，p型薄膜制取及p-n结的纬沙晌兄频缱⑷隯nO光电器件的关键。我们采用MOCVD方法，通过独特的掺杂工艺，实现妥鑠型ZnO，并研制出相应的发光二极管原型器件。