课题基金 / 基金详情

P型ZnO薄膜的MOCVD生长及其发光二极管的研究

批准号：
60177007
项目类别：
面上项目
资助金额：
20.0 万元
负责人：
姜秀英
依托单位：
吉林大学
学科分类：
光子与光电子器件
结题年份：
2004
批准年份：
2001
项目状态：
已结题
项目参与者：
王新强、王金忠、马艳、柳丹、闫玮、杨天鹏、刘自强
关键词：
化学气相沉积金属有机物.氧化锌.

项目摘要

结项摘要

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中文摘要
ZnO是一种重要的宽直接带隙半导体材料，能带间隙及晶格常数与GaN非常接近，但其某些光机电特征明显优于GaN而日益引起关注。通常生长的ZnO材料呈n型，p型薄膜制取及p-n结的纬沙晌兄频缱⑷隯nO光电器件的关键。我们采用MOCVD方法，通过独特的掺杂工艺，实现妥鑠型ZnO，并研制出相应的发光二极管原型器件。
英文摘要
量子阱及新结构GaAlAs超辐射发光管
  • 批准号：
    69477022
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    8.0万元
  • 批准年份：
    1994
  • 负责人：
    姜秀英
  • 依托单位：
    吉林大学
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