用于超高密度光存储的集成式SNOM微探尖的选择生长研究
批准号:
60377005
项目类别:
面上项目
资助金额:
25.0 万元
负责人:
胡礼中
依托单位:
学科分类:
光学信息获取、显示与处理
结题年份:
2006
批准年份:
2003
项目状态:
已结题
项目参与者:
赵宇、刘琨、孙捷、王兆阳、赵杰、梁秀萍、张红治
中文摘要
超高密度光存储是SNOM应用的一个重要发展方向,低成本大批量制造高可靠性集成式SNOM传感器微探尖是使这种技术走向市场需要解决的关键问题之一。本项目提出并采用一种新的选择生长技术来解决这个问题。主要研究内容为:通过氧化物掩膜选择生长方法,模拟VCSEL结构表面环境,利用常规LPE手段,在GaAs衬底上制备与VCSEL制作工艺相容、重复性好的GaAs或AlGaAs微探尖阵列,并初步实现微探尖与VCSEL混合集成单元在近场高密度光存储或物体表面精细结构成像中的演示实验,为进一步在MOCVD系统或LPE与MOCVD混合生长系统上实现单片集成SNOM传感器打下良好基础。
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DOI:
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发表时间:
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期刊:
电子元件与材料,24(3),40-43,2005-03
影响因子:
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作者:
[赵 杰, 胡礼中, 王兆阳, 王志俊]
通讯作者:
王志俊
DOI:
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发表时间:
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期刊:
半导体学报,26(6),1178-1181,2005-06(EI)
影响因子:
--
作者:
[张红治,胡礼中,孙晓娟, 王志俊]
通讯作者:
王志俊
Effect of the variation of tem
温度变化的影响
DOI:
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发表时间:
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期刊:
影响因子:
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作者:
[胡礼中, 王兆阳, 赵杰, 孙捷, 王]
通讯作者:
王
Epitaxial growth of ZnO thin f
外延生长ZnO薄膜
DOI:
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发表时间:
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期刊:
影响因子:
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作者:
[胡礼中, 赵杰, 王兆阳, 王志俊]
通讯作者:
王志俊
High-quality ZnO thin films pr
高品质ZnO薄膜生产
DOI:
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发表时间:
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期刊:
影响因子:
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作者:
[胡礼中, 赵杰, 王兆阳, 赵宇, 梁]
通讯作者:
梁
共 17 条
影响GaAs微探尖阵列选择外延生长质量的关键技术研究
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批准号:60777009
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项目类别:面上项目
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资助金额:35.0万元
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批准年份:2007
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负责人:胡礼中
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依托单位:
国内基金
海外基金