超高密度光存储是SNOM应用的一个重要发展方向，低成本大批量制造高可靠性集成式SNOM传感器微探尖是使这种技术走向市场需要解决的关键问题之一。本项目提出并采用一种新的选择生长技术来解决这个问题。主要研究内容为：通过氧化物掩膜选择生长方法，模拟VCSEL结构表面环境，利用常规LPE手段，在GaAs衬底上制备与VCSEL制作工艺相容、重复性好的GaAs或AlGaAs微探尖阵列，并初步实现微探尖与VCSEL混合集成单元在近场高密度光存储或物体表面精细结构成像中的演示实验，为进一步在MOCVD系统或LPE与MOCVD混合生长系统上实现单片集成SNOM传感器打下良好基础。