石墨烯基可转移碲镉汞薄膜物性研究
批准号:
61307120
项目类别:
青年科学基金项目
资助金额:
29.0 万元
负责人:
刘玫
依托单位:
学科分类:
F0504.红外与太赫兹物理及技术
结题年份:
2016
批准年份:
2013
项目状态:
已结题
项目参与者:
马红、许士才、刘栋、毕冬、孟雪
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中文摘要
碲镉汞近年来一直是红外探测器技术发展的最重要的材料,但是目前常用的硬质单晶和非晶衬底材料已无法满足第三代红外焦平面列阵探测器器件发展的要求,成为阻碍碲镉汞红外探测器件性能进一步改善质量和降低成本的瓶颈。本项目拟采用石墨烯作为碲镉汞薄膜生长的载体,制备石墨烯基碲镉汞薄膜复合材料,并进一步将石墨烯基碲镉汞薄膜剥离、转移,以实现晶态碲镉汞薄膜在非晶、金属及柔性衬底上的外延。同时对石墨烯基碲镉汞薄膜及其转移之后的内部结构、缺陷和各项物性以及变化进行全面系统的分析总结,探索其可能出现的新的或拓展的协同效应,得到其演化规律及形成机制的理论依据。本项目的研究结果将为石墨烯基可转移碲镉汞薄膜器件化提供实验数据和理论参考,为碲镉汞红外探测器的进一步发展提供新的发展思路,对我国的科技、工业、医疗和国防等方面的发展都具有十分重要的意义。
英文摘要
In recent years, Mercury cadmium telluride (Hg1-xCdxTe, MCT) has always been an important material for the infrared detector technology. However, the most common substrate materials, including hard, single crystal and amorphous substrate material, can not meet the development requirements of the third-generation infrared focal plane array detector device, and this bottleneck problem is a direct effect of reducing cost and further improving the quality of MCT infrared detector performance. In this project, we will use graphene as the carrier of MCT thin films to prepare the graphene-based MCT thin films, further peel the graphene-based MCT thin films and then transfer them to the foreign substrate materials in order to achieve the crystalline MCT thin film epitaxially grown on amorphous, metal and flexible substrates. The structure, defects, properties and varieties of the graphene-based MCT thin films and the transferred MCT thin films will be summarized and analysed. The possible new and synergistic effects will be explored. The theoretical basis of the variation law and the formation mechanism will be studied. The research results of the project will provide the experiment data and the theoretical references to the transferable graphene-based MCT thin film devices and provide the new ideas for the further development of the MCT infrared detectors. It is very important to develop our science, industry, medicine, defense and so on.
碲镉汞近年来一直是红外探测器技术发展的最重要的材料,本项目针对目前碲镉汞材料器件结晶质量受衬底材料限制的问题,开展了利用石墨烯作为碲镉汞薄膜生长载体制备石墨烯基碲镉汞薄膜复合材料的相关实验研究,实现了碲镉汞薄膜材料质量的提高,并进一步将石墨烯基碲镉汞薄膜剥离、转移,利用石墨烯实现了碲镉汞薄膜材料在非晶、金属衬底上的外延。通过实验、理论分析研究了其生长、制备、转移过程中实验条件对薄膜性质的影响。我们还对在沉积在金属表面的碲镉汞薄膜产生的表面等离子体特性进行了理论模拟,计算得到金属/石墨烯复合基底的碲镉汞薄膜的内部电场分布、界面处的表面等离子体的三维空间分布以及相关器件的特性参数。本项目的研究结果为基于碲镉汞薄膜材料的红外探测器件的发展提供实验数据和理论指导,具有较好的应用价值。
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
Multi-layered nanostructure Bi2Se3 grown by chemical vapor deposition in selenium-rich atmosphere
富硒气氛中化学气相沉积法生长多层纳米结构 Bi2Se3
DOI:10.1016/j.apsusc.2014.08.103
发表时间:2014
期刊:Applied Surface Science
影响因子:6.7
作者:Mei Liu;Fu Yan Liu;Bao Yuan Man;Dong Bi;Xue You Xu
通讯作者:Xue You Xu
DOI:10.1364/ol.39.002707
发表时间:2014-05
期刊:Optics letters
影响因子:3.6
作者:Shicai Xu;B. Man;S. Jiang;D. Feng;Saisai Gao;C. S. Chen;M. Liu;Cheng Yang;Cheng Zhang;D. Bi;Fuyan Liu;X. Meng
通讯作者:Shicai Xu;B. Man;S. Jiang;D. Feng;Saisai Gao;C. S. Chen;M. Liu;Cheng Yang;Cheng Zhang;D. Bi;Fuyan Liu;X. Meng
Facile synthesis of graphene on dielectric surfaces using a two-temperature reactor CVD system
使用双温反应器 CVD 系统在电介质表面轻松合成石墨烯
DOI:10.1088/0957-4484/24/39/395603
发表时间:2013-10
期刊:Nanotechnology
影响因子:3.5
作者:Xu, S. C.;Sun, Z. C.;Gao, X. G.;Chen, X. J.
通讯作者:Chen, X. J.
DOI:10.1088/1612-2011/11/9/096001
发表时间:2014-09
期刊:Laser Physics Letters
影响因子:1.7
作者:Shicai Xu;B. Man;S. Jiang;A. Liu;G. Hu;C. S. Chen;M. Liu;Cheng Yang;D. Feng;C. Zhang
通讯作者:Shicai Xu;B. Man;S. Jiang;A. Liu;G. Hu;C. S. Chen;M. Liu;Cheng Yang;D. Feng;C. Zhang
The effect of temperature on Bi2Se3 nanostructures synthesized via chemical vapor deposition
温度对化学气相沉积合成 Bi2Se3 纳米结构的影响
DOI:10.1007/s10854-015-2915-5
发表时间:2015-06-01
期刊:JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS
影响因子:2.8
作者:Liu, Fuyan;Liu, Mei;Man, Baoyuan
通讯作者:Man, Baoyuan
硒化物半导体材料表面增强拉曼散射机理及调控研究
- 批准号:--
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:62万元
- 批准年份:2020
- 负责人:刘玫
- 依托单位:
脉冲激光沉积制备ZnCdTe薄膜的太赫兹波段的物理性质研究
- 批准号:11047161
- 项目类别:专项基金项目
- 资助金额:4.0万元
- 批准年份:2010
- 负责人:刘玫
- 依托单位:
国内基金
海外基金















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