AlN压电薄膜晶粒取向与应力相关性研究

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AI项目解读

基本信息

  • 批准号：
    61101038
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    25.0万
  • 负责人：
    钟慧
  • 依托单位：
    电子科技大学
  • 学科分类：
    F0119.电磁场与波
  • 结题年份：
    2014
  • 批准年份：
    2011
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    2012-01-01 至2014-12-31

项目摘要

本项目针对压电薄膜中晶粒取向对应力大小及分布特性的影响作用及由此带来的相关效应，拟从理论上定量地建立较为符合实际的考虑晶粒织构情况的薄膜应力模型，研究应力大小与压电膜层结晶性能、晶粒取向的内在联系，以及薄膜材料参数对应力的影响规律。同时，通过射频溅射沉积AlN压电薄膜验证性实验，研究AlN薄膜晶粒取向与膜层最终应力的变化关系，将压电薄膜晶粒微观结构与应力分布有机联系起来，验证应力模型计算结果，完善多晶薄膜应力起源分析，最终获得对适用于射频体声波谐振器的压电薄膜应力形成的深刻理解，支持薄膜材料的制备与器件的研制。

结项摘要

随着射频体声波谐振器对压电薄膜应力的要求的不断提高，射频体声波谐振器用AlN薄膜的应力研究成为该器件材料研究的重点。针对不同AlN薄膜晶粒取向对应力的影响，建立了有限元分析模型，获得了薄膜厚度、晶粒大小、晶粒取向方向等因素对AlN薄膜应力的理论模型分析。同时，基于实验基础对薄膜沉积参数对晶粒的生长曲线影响及应力影响进行了研究，获得了不同参数情况下的应力与晶粒取向范围的影响关系。最后通过优化设计获得最小应力范围的实验条件，为薄膜的进一步应用提供理论及实验基础。

项目成果

期刊论文数量（9）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（1）
专利数量（0）
Growth of AlN Films as a Function of Temperature on Mo Films Deposited by Different Techniques
不同技术沉积的 Mo 薄膜上 AlN 薄膜的生长随温度的变化
  • DOI：
    10.1007/s11664-013-2867-6
  • 发表时间：
    2014-02
  • 期刊：
    Journal of Electronic Materials
  • 影响因子：
    2.1
  • 作者：
    Yang, Jie;Jiao, Xiangquan;Zhang, Rui;Zhong, Hui;Shi, Yu;Du, Bo
  • 通讯作者：
    Du, Bo
Molybdenum deposited on Si (111), SiO2, and amorphous Si through RF magnetron sputtering
通过射频磁控溅射在 Si(111)、SiO2 和非晶硅上沉积钼
  • DOI：
    10.1016/j.matlet.2014.03.093
  • 发表时间：
    2014-06
  • 期刊：
    Materials Letters
  • 影响因子：
    3
  • 作者：
    Jiao, Xiangquan;Yang, Jie;Zhang, Rui;Zhang, Nan;Zhong, Hui;Shi, Yu
  • 通讯作者：
    Shi, Yu
Preparation of sacrificial layer for MEMS devices by lift-off technology
采用剥离技术制备MEMS器件牺牲层
  • DOI：
    10.1007/s00542-013-1946-1
  • 发表时间：
    2013-10
  • 期刊：
    Microsystem Technologies
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    Jie Yang, Yu Shi, Hui Zhong, Xiangquan Jiao,
  • 通讯作者：
    Jie Yang, Yu Shi, Hui Zhong, Xiangquan Jiao,
Design of narrow bandwidth elliptic-type SAW/BAW filters
窄带宽椭圆型SAW/BAW滤波器的设计
  • DOI：
    10.1049/el.2012.0325
  • 发表时间：
    2012-05
  • 期刊：
    Electronics Letters
  • 影响因子：
    1.1
  • 作者：
    Wang, Hualei;Zhong, Hui;Shi, Yu;Hashimoto, Ken-Ya
  • 通讯作者：
    Hashimoto, Ken-Ya
Si(111)基片上射频溅射AlN薄膜残余应力研究
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2012
  • 期刊：
    J Mater Sci: Mater Electron
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    钟慧
  • 通讯作者：
    钟慧

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  • 发表时间：
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  • 影响因子：
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  • 作者：
    钟慧;曾庆丽;张天赐;双亚洲;李来生
  • 通讯作者：
    李来生

其他文献

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课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

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          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
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