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p型二氧化锡薄膜的制备及其性质研究
结题报告
批准号：
50672053
项目类别：
面上项目
资助金额：
32.0 万元
负责人：
计峰
依托单位：
学科分类：
E0207.无机非金属半导体与信息功能材料
结题年份：
2009
批准年份：
2006
项目状态：
已结题
项目参与者：
邵波、张锡健、李强、蒋志勇、常中坤、马建斌、杨光
国基评审专家1V1指导 中标率高出同行96.8%
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中文摘要
分别选取铝、镓、铟、氮、磷、锂等作为掺杂元素，利用激光分子束外延法（L-MBE）制备单元素掺杂的p型氧化锡薄膜。研究薄膜的透过率、光学带隙、杂质能级结构及载流子浓度、迁移率等参数与工艺条件、掺杂元素种类、掺杂浓度的变化关系，确定实现替位式掺杂及激活掺杂原子的工艺条件。研究退火等后处理工艺对薄膜结构及电学性质的影响，确定最佳的工艺条件。通过分析掺杂原子的电子结构及化学性质，确定待选的共掺杂元素。利用
英文摘要
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专利列表
Single crystalline SnO2:In films prepared on sapphire by MOCVD
MOCVD法在蓝宝石上制备单晶SnO2:In薄膜
MOCVD法在蓝宝石上制备单晶SnO2:In薄膜DOI：--
发表时间：--
期刊：Advanced Materials Research
影响因子：--
作者：Xuan Pei;Feng Ji;Zhenguo Song;Ti Ning;Jin Ma;Yongliang Tan
通讯作者：Yongliang Tan
DOI：--
发表时间：--
期刊：功能材料
影响因子：--
作者：马瑾;马洪磊;计峰
通讯作者：计峰
Transparent conducting SnO2 : Sb epitaxial films prepared on alpha-Al2O3 (0001) by MOCVD透明导电 SnO2 ：通过 MOCVD 在 α-Al2O3 (0001) 上制备的 Sb 外延薄膜
透明导电 SnO2 ：通过 MOCVD 在 α-Al2O3 (0001) 上制备的 Sb 外延薄膜DOI：--
发表时间：--
期刊：Materials Letters
影响因子：3
作者：Yang, Fan;Ji, Feng;Ma, Honglei;Luan, Caina;Feng, Xianjin;Ma, Jin;Zong, Fujian
通讯作者：Zong, Fujian
DOI：--
发表时间：--
期刊：物理学报
影响因子：--
作者：王永利;马瑾;冯先进;计峰;葛松华;杨帆;马洪磊
通讯作者：马洪磊
Preparation and characterization of single crystalline SnO2 films deposited on alpha-Al2O3 (0001) by MOCVDMOCVD 在 α-Al2O3 (0001) 上沉积单晶 SnO2 薄膜的制备与表征
MOCVD 在 α-Al2O3 (0001) 上沉积单晶 SnO2 薄膜的制备与表征DOI：--
发表时间：--
期刊：Materials Letters
影响因子：3
作者：Ji, Feng;Luan, Caina;Feng, Xianjin;Yang, Fan;Ma, Jin
通讯作者：Ma, Jin
高质量氮化锌薄膜的制备及氮化锌薄膜晶体管的构建研究
- 批准号：51272134
- 项目类别：面上项目
- 资助金额：60.0万元
- 批准年份：2012
- 负责人：计峰
- 依托单位：
低温等离子体辅助MOCVD技术制备AlInN薄膜材料的生长及掺杂特性研究
- 批准号：51072101
- 项目类别：面上项目
- 资助金额：38.0万元
- 批准年份：2010
- 负责人：计峰
- 依托单位：
国内基金
海外基金
