p型二氧化锡薄膜的制备及其性质研究
批准号：
50672053
项目类别：
面上项目
资助金额：
32.0 万元
负责人：
计峰
依托单位：
学科分类：
无机非金属半导体与信息功能材料
结题年份：
2009
批准年份：
2006
项目状态：
已结题
项目参与者：
邵波、张锡健、李强、蒋志勇、常中坤、马建斌、杨光
项目摘要
结项摘要
项目成果
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中文摘要
分别选取铝、镓、铟、氮、磷、锂等作为掺杂元素，利用激光分子束外延法（L-MBE）制备单元素掺杂的p型氧化锡薄膜。研究薄膜的透过率、光学带隙、杂质能级结构及载流子浓度、迁移率等参数与工艺条件、掺杂元素种类、掺杂浓度的变化关系，确定实现替位式掺杂及激活掺杂原子的工艺条件。研究退火等后处理工艺对薄膜结构及电学性质的影响，确定最佳的工艺条件。通过分析掺杂原子的电子结构及化学性质，确定待选的共掺杂元素。利用
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Single crystalline SnO2:In films prepared on sapphire by MOCVD
MOCVD法在蓝宝石上制备单晶SnO2:In薄膜
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DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
Advanced Materials Research
影响因子：
--
作者：
[Xuan Pei, Feng Ji, Zhenguo Song, Ti Ning, Jin Ma, Yongliang Tan]
通讯作者：
Yongliang Tan
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
功能材料
影响因子：
--
作者：
[马瑾, 马洪磊, 计峰]
通讯作者：
计峰
Transparent conducting SnO2 : Sb epitaxial films prepared on alpha-Al2O3 (0001) by MOCVD
透明导电 SnO2 ：通过 MOCVD 在 α-Al2O3 (0001) 上制备的 Sb 外延薄膜
透明导电 SnO2 ：通过 MOCVD 在 α-Al2O3 (0001) 上制备的 Sb 外延薄膜
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
Materials Letters
影响因子：
3
作者：
[Yang, Fan, Ji, Feng, Ma, Honglei, Luan, Caina, Feng, Xianjin, Ma, Jin, Zong, Fujian]
通讯作者：
Zong, Fujian
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
物理学报
影响因子：
--
作者：
[王永利, 马瑾, 冯先进, 计峰, 葛松华, 杨帆, 马洪磊]
通讯作者：
马洪磊
Preparation and characterization of single crystalline SnO2 films deposited on alpha-Al2O3 (0001) by MOCVD
MOCVD 在 α-Al2O3 (0001) 上沉积单晶 SnO2 薄膜的制备与表征
MOCVD 在 α-Al2O3 (0001) 上沉积单晶 SnO2 薄膜的制备与表征
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
Materials Letters
影响因子：
3
作者：
[Ji, Feng, Luan, Caina, Feng, Xianjin, Yang, Fan, Ma, Jin]
通讯作者：
Ma, Jin
共 12 条
高质量氮化锌薄膜的制备及氮化锌薄膜晶体管的构建研究
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批准号：51272134
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项目类别：面上项目
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资助金额：60.0万元
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批准年份：2012
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负责人：计峰
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依托单位：
低温等离子体辅助MOCVD技术制备AlInN薄膜材料的生长及掺杂特性研究
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批准号：51072101
-
项目类别：面上项目
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资助金额：38.0万元
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批准年份：2010
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负责人：计峰
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依托单位：
国内基金
海外基金