课题基金 / 基金详情

稀土元素掺杂的GaN稀磁半导体的第一性原理研究

批准号：
10947169
项目类别：
专项基金项目
资助金额：
3.0 万元
负责人：
钟国华
依托单位：
中国科学院深圳先进技术研究院
学科分类：
基础物理
结题年份：
2010
批准年份：
2009
项目状态：
已结题
项目参与者：
关键词：
稀土金属电子结构稀磁半导体第一性原理磁性

项目摘要

结项摘要

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中文摘要
在Gd掺杂的GaN稀磁薄膜中，观察到了超大磁矩，这引起了人们对稀土元素掺杂的GaN材料的关注。同时，用第一性原理方法研究f电子材料的电子结构一直是一个挑战。本项目中，在我们对Gd掺杂GaN的研究基础上，进一步采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法（FP-LAPW和VASP-PAW），系统地研究稀土元素La，Ce、Sm、Eu、Tb和Er掺杂的GaN半导体。研究此系列体系的电子结构、磁性和光学性质；观察磁结构的变化，分析超巨大磁矩产生的可能性和机理，并进一步探讨f电子的理论研究方法。从应用角度而言，对稀土元素掺杂的GaN稀磁半导体材料的研究，将为制备光电子和自旋电子器件打下坚实的理论基础。
英文摘要
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