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稀土元素掺杂的GaN稀磁半导体的第一性原理研究
结题报告
批准号:
10947169
项目类别:
专项基金项目
资助金额:
3.0 万元
负责人:
钟国华
学科分类:
A25.基础物理
结题年份:
2010
批准年份:
2009
项目状态:
已结题
项目参与者:
--
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中文摘要
在Gd掺杂的GaN稀磁薄膜中,观察到了超大磁矩,这引起了人们对稀土元素掺杂的GaN材料的关注。同时,用第一性原理方法研究f电子材料的电子结构一直是一个挑战。本项目中,在我们对Gd掺杂GaN的研究基础上,进一步采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法(FP-LAPW和VASP-PAW),系统地研究稀土元素La,Ce、Sm、Eu、Tb和Er掺杂的GaN半导体。研究此系列体系的电子结构、磁性和光学性质;观察磁结构的变化,分析超巨大磁矩产生的可能性和机理,并进一步探讨f电子的理论研究方法。从应用角度而言,对稀土元素掺杂的GaN稀磁半导体材料的研究,将为制备光电子和自旋电子器件打下坚实的理论基础。
英文摘要
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