氮化硼纳米晶体溶剂热合成反应机理和物相控制技术研究
批准号:
50302005
项目类别:
青年科学基金项目
资助金额:
23.0 万元
负责人:
郝霄鹏
依托单位:
学科分类:
碳素材料与超硬材料
结题年份:
2006
批准年份:
2003
项目状态:
已结题
项目参与者:
吴拥中、于美燕、董守义、李玲、展杰、房伟、于乃森、李凯
中文摘要
研究内容:(1)利用溶剂热方法制备氮化硼纳米晶体。(2)通过原位监测反应过程建立反应动力学模型,探索反应机理。(3)把建立的理论模型应用于指导氮化硼纳米材料的合成,探索和完善结构诱导方法和选相原位生成方法,对氮化硼材料中的物相进行控制,最终实现氮化硼纳米材料的"定向"合成。.项目意义:本项目研究结果不仅能大幅度拓宽纳米材料的应用领域,而且将为"定向"合成具有特定功能的纳米结构提供有效的方法和理论依据。
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Synthesis of GaN nanospindles
GaN纳米轴的合成
DOI:
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发表时间:
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期刊:
影响因子:
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作者:
[Xiaopeng Hao, Jie Zhan, Yongzh]
通讯作者:
Xiaopeng Hao, Jie Zhan, Yongzh
DOI:
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发表时间:
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期刊:
人工晶体学报,33(2004)296
影响因子:
--
作者:
[李玲, 郝霄鹏, 于乃森, 徐现刚]
通讯作者:
徐现刚
DOI:
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发表时间:
--
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Naisen Yu , Xiaopeng Hao, Xian]
通讯作者:
Naisen Yu , Xiaopeng Hao, Xian
Hydrothermal Growth of Boron N
硼氮的水热生长
DOI:
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发表时间:
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期刊:
影响因子:
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作者:
[Xiaopeng Hao, Yongzhong Wu, Ji]
通讯作者:
Xiaopeng Hao, Yongzhong Wu, Ji
DOI:
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发表时间:
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期刊:
影响因子:
--
作者:
[Yongzhong Wu, Xiaopeng Hao, Ji]
通讯作者:
Yongzhong Wu, Xiaopeng Hao, Ji
共 16 条
新型衬底上高质量GaN单晶的HVPE生长及自剥离研究
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批准号:51572153
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项目类别:面上项目
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资助金额:64.0万元
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批准年份:2015
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负责人:郝霄鹏
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依托单位:
GaN体单晶生长基础研究
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批准号:50823009
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项目类别:专项基金项目
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资助金额:140.0万元
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批准年份:2008
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负责人:郝霄鹏
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依托单位:
国内基金
海外基金