SOI高压结型屏蔽器件辐射复合场调制机理与新结构研究
批准号：
--
项目类别：
面上项目
资助金额：
53 万元
负责人：
周锌
依托单位：
学科分类：
集成电路设计
结题年份：
--
批准年份：
2022
项目状态：
未结题
项目参与者：
周锌
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负责人：周锌
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依托单位：
国内基金
海外基金