光导开关具有皮秒量级的触发抖动、纳秒量级的开通时间、高电流密度、高耐压、小尺寸、低损耗、可控、光电隔离、不受电磁干扰等优点。碳化硅（SiC）是第三代宽禁带半导体材料，具有高击穿场强、高饱和电子迁移率、高热导率等优点。相对其它材料而言，利用碳化硅材料制备的光导开关，除了能承受更高的电压外，在导通的时候并不会形成丝状电流，因而可靠性更高、通流能力更强，并能使固态电路的功率密度提高4个数量级之多，在超快光电子学、高温电子学、抗辐射电子学等领域具有较大的应用价值。本项目以工作在高频、高压、短脉冲、大电流密度等条件下的SiC光导开关为目标，较为系统地进行了如下工作：（1）在半绝缘SiC衬底上建立了SiC双面外延器件模型，研究了外延层的掺杂类型、厚度等参数对光导开关耐压和特性的影响，结果表明增加N+外延层厚度可以提高耐压，而导通电流首先随着外延层厚度的增加而减小，在N+外延层厚度为5m时达到最小值，随后随着厚度的增加，导通电流增加；（2）研究了钒掺杂形成半绝缘SiC的机理，并研究了钒掺杂浓度对光导开关光特性的影响，结果表明随着钒掺杂浓度的增加，光导开关的漏电流、峰值电流、拖尾电流均减小；（3）研究了高压SiC的测试方法，并试制了相应的测试装置；（4）研究了高耐压SiC光导开关的若干工艺，包括表面造型、台面结构、欧姆接触等；（5）制备出耐压达到4kV的半绝缘SiC光导开关样品；（6）提出了高耐压SiC光导开关的基本结构以及所需要解决的问题。这些研究较为系统地解决了当前SiC光导开关存在的诸如半绝缘强度不够高、外延层生长困难、台面造型难以形成、边沿电流通道等问题，所取得的项目研究成果较大地推动了碳化硅光导开关在实际装置中的应用。