氧化锌半导体自旋注入和自旋过滤的研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:10804126
- 项目类别:青年科学基金项目
- 资助金额:24.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:A2004.凝聚态物质电子结构
- 结题年份:2011
- 批准年份:2008
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2009-01-01 至2011-12-31
- 项目参与者:杜小龙; 张天冲; 刘尧平; 刘章龙; 梁会力; 李俊强;
- 关键词:
项目摘要
自旋过滤和自旋注入是自旋电子学器件研究中的核心物理问题,本项目拟在制备高性能ZnO稀磁半导体量子阱结构的基础上,对上述科学问题开展深入研究。我们拟采用已掌握的高质量ZnO单晶薄膜分子束外延生长技术,制备有锐利界面的ZnO/ZnMgO异质结和以ZnCoO为阱层的双垒层自旋共振隧穿二极管(RTD)。利用ZnCoO阱层中较强的p-d相互作用,研究在磁场下的Zeeman分裂效应,通过调节量子阱外加电场,实现自旋向上或者自旋向下电子的可控共振遂穿,进一步研究ZnO量子阱结构中的薄膜组分以及势垒高度和阱厚度对自旋注入和自旋过滤特性的影响,以获得自旋共振隧穿二极管的优化结构;并探索研究ZnO自旋电子学原型器件。目前国际上在该课题的研究刚刚起步,相关研究报道很少,正是开展这方面研究的最佳时机,本项目可以填补我国在这一重要课题上的空白,推动ZnO半导体自旋电子学器件的发展。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(7)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Temperature dependence of surface plasmon mediated near band-edge emission from Ag/ZnO nanorods
Ag/ZnO 纳米棒的表面等离子体介导的近带边发射的温度依赖性
- DOI:10.1088/2040-8978/13/7/075003
- 发表时间:2011-07
- 期刊:Journal of Optics
- 影响因子:2.1
- 作者:Du, X. L.;Kuznetsov, A. Yu;Trunk, M.;Li, J. Q.;Guo, Y.;Mei, Z. X.;Xu, J. B.;Liu, Y. P.
- 通讯作者:Liu, Y. P.
Metastable rocksalt ZnO interfacial layer and its influence on polarity selection of Zn-polar ZnO films
亚稳态岩盐ZnO界面层及其对Zn-极性ZnO薄膜极性选择的影响
- DOI:10.1016/j.jcrysgro.2009.10.054
- 发表时间:2010
- 期刊:Journal of Crystal Growth
- 影响因子:1.8
- 作者:Du, X. L.;Zeng, Z. Q.;Guo, Y.;Jia, J. F.;Xue, Q. K.;Mei, Z. X.;Zhang, Z.;Yuan, H. T.;Liu, Y. Z.
- 通讯作者:Liu, Y. Z.
Influence of growth temperature on formation of continuous Ag thin film on ZnO surface by ultra-high vacuum deposition
生长温度对超高真空沉积ZnO表面连续Ag薄膜的影响
- DOI:10.1088/0022-3727/42/6/065303
- 发表时间:2009-06
- 期刊:Journal of Physics D-Applied Physics
- 影响因子:3.4
- 作者:Du, X. L.;Guo, Y.;Xue, Q. K.;Zhang, T. C.;Mei, Z. X.
- 通讯作者:Mei, Z. X.
Controlled Growth of High-Quality ZnO-Based Films and Fabrication of Visible-Blind and Solar-Blind Ultra-Violet Detectors
高质量 ZnO 基薄膜的控制生长以及可见盲和日盲紫外线探测器的制造
- DOI:10.1002/adma.200901108
- 发表时间:2009-12-04
- 期刊:ADVANCED MATERIALS
- 影响因子:29.4
- 作者:Du, Xiaolong;Mei, Zengxia;Kuznetsov, Andrej Yu
- 通讯作者:Kuznetsov, Andrej Yu
Van der Pauw Hall Measurement on Intended Doped ZnO Films for p-Type Conductivity
对预期掺杂 ZnO 薄膜进行 p 型电导率的范德堡霍尔测量
- DOI:10.1088/0256-307x/27/6/067203
- 发表时间:2010-05
- 期刊:Chinese Physics Letters
- 影响因子:3.5
- 作者:Zhang Sheng-Li;Du Xiao-Long;Li Jun-Qiang;Liu Yac-Ping;Mei Zeng-Xia;Guo Yang
- 通讯作者:Guo Yang
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其他文献
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- DOI:--
- 发表时间:2012
- 期刊:计算机辅助设计与图形学学报
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- 作者:郭阳;李思昆;屈婉霞
- 通讯作者:屈婉霞
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