基于金属氧化物TFT技术的射频识别(RFID)标签集成研究

批准号:
61574062
项目类别:
面上项目
资助金额:
64.0 万元
负责人:
吴为敬
依托单位:
学科分类:
F0404.半导体电子器件与集成
结题年份:
2019
批准年份:
2015
项目状态:
已结题
项目参与者:
韩绍虎、陶洪、肖鹏、夏兴衡、李冠明、陈炽乐、胡晓、庄裕浩
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中文摘要
射频识别(RFID)是实现物联网的关键技术。RFID标签具有唯一的电子编码,是射频识别系统真正的数据载体。使用薄膜晶体管(TFT)工艺替代单晶硅工艺制备RFID标签来解决传统RFID标签IC芯片与天线整合的问题并预期将来可实现柔性RFID标签,是目前学术界和产业界的研究热点。本申请课题基于金属氧化物TFT相关技术及其器件特性研究设计天线、调制解调电路、整流稳压电路、时钟及数字逻辑电路、EEPROM存储电路等,实现在同一玻璃衬底上一体化集成13.56MHz无源RFID标签。通过解决金属氧化物TFT集成电路的低功耗设计、模拟电路工作稳定性及集成中信号完整性等关键科学问题,希望凝炼金属氧化物TFT集成电路(数字、模拟)的共性技术,为在柔性衬底上实现柔性RFID标签奠定良好基础。
英文摘要
Radio frequency identification (RFID) is the key technology to realize the internet of things. RFID tag which has a unique electronic code is the data carrier in the RFID system. The thin film transistors (TFTs) process is used to fabricate the RFID tag in replace of the crystalline silicon process, which may solve the bonding problem between antenna and IC chip in the conventional RFID tag. Moreover, the TFTs process is hopeful to achieve the flexible RFID tag, which has gained much interest in academics and industry. In this project, we will study and design the antenna, modulator-demodulator circuit, rectifier and voltage regulator circuit, clock generator and digital logic circuit and EEPROM memory circuit based on the related technologies of metal oxide TFTs and their characteristics. The final target is to integrate 13.56MHz passive RFID tag in the same glass substrate. We hope to extract the general technologies of the metal oxide TFTs digital and analogous integration circuits by solving the scientific problems of low power design of metal oxide integration circuits, the work stability of analogous integration circuits and the signal integrity of integration. Those research works will lay a good foundation for realizing the flexible RFID tag in the flexible substrate in future.
射频识别(RFID)是实现物联网的关键技术,本项目尝试采用金属氧化物薄膜晶体管技术研究设计RFID电路及模块。我们开展了基于TFT技术的射频识别标签天线、模拟前端、EEPROM读写电路、时钟及数字逻辑电路等方面的研究。巧妙采用上拉信号反馈控制的反相器级联构成环形振荡器,具有低功耗和全摆幅输出的优点。研究设计了采用内部反馈控制的低功耗D触发器(DFF)电路。应用跨导增强拓扑实现高增益的运算放大电路(OPAMP)。这些都为TFT技术构建面向RFID应用的时钟电路、数字电路及模拟电路奠定了良好基础。集成设计了曼彻斯特编码数据发送模块,其对16bit ROM 所存储的ID数据的编码速率为103kbps,接近ISO 14443标准的数据率要求,可面向13.56 MHz RFID标签应用。另外,还开展氧化物TFT陷阱态密度提取方法和柔性集成电路等方面研究。通过本项目的开展,凝练了TFT数字和模拟集成电路的一些共性设计方法及技术,为氧化物TFT在诸如柔性电子系统的应用提供了电路拓扑层面的支持。
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
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专利列表
High-Resolution Flexible AMOLED Display Integrating Gate Driver by Metal-Oxide TFTs
采用金属氧化物 TFT 集成栅极驱动器的高分辨率柔性 AMOLED 显示器
DOI:10.1109/led.2018.2871045
发表时间:2018
期刊:IEEE Electron Device Letters
影响因子:4.9
作者:Wu Wei-Jing;Chen Jun-Wei;Wang Jun-Sheng;Zhou Lei;Tao Hong;Zou Jian-Hua;Xu Miao;Wang Lei;Peng Jun-Biao;Chan Mansun
通讯作者:Chan Mansun
A Low-Power High-Stability Flexible Scan Driver Integrated by IZO TFTs
IZO TFT集成的低功耗高稳定性柔性扫描驱动器
DOI:10.1109/ted.2016.2529656
发表时间:2016-04-01
期刊:IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
影响因子:3.1
作者:Zhang, Li-Rong;Huang, Chang-Yu;Peng, Jun-Biao
通讯作者:Peng, Jun-Biao
Design of compensation pixel circuit with In-Zn-O thin film transistor for active-matrix organic light-emitting diode 3D display
用于有源矩阵有机发光二极管3D显示的In-Zn-O薄膜晶体管补偿像素电路设计
DOI:10.1007/s12200-016-0562-y
发表时间:2017-03
期刊:Frontiers of Optoelectronics
影响因子:5.4
作者:Hu Xiao;Xia Xingheng;Zhou Lei;Zhang Lirong;Wu Weijing
通讯作者:Wu Weijing
A low-power D flip flop integrated by metal oxide thin film transistors employing internal feedback control
一种采用内部反馈控制的金属氧化物薄膜晶体管集成的低功耗D触发器
DOI:10.1088/1361-6641/aae073
发表时间:2018-10
期刊:Semicond. Sci. Technol.
影响因子:--
作者:Fan Zhan;Jian-Dong Wu1 Lei Zhou2
通讯作者:Jian-Dong Wu1 Lei Zhou2
DOI:10.1109/jeds.2018.2883585
发表时间:2019
期刊:IEEE Journal of the Electron Devices Society
影响因子:2.3
作者:Zhuo-Jia Chen;Wen-Xing Xu;Jian-Dong Wu;Lei Zhou;Weijing Wu;J. Zou;Miao Xu;Lei Wang;Yu-Rong Liu;Junbiao Peng
通讯作者:Zhuo-Jia Chen;Wen-Xing Xu;Jian-Dong Wu;Lei Zhou;Weijing Wu;J. Zou;Miao Xu;Lei Wang;Yu-Rong Liu;Junbiao Peng
金属氧化物TFT有源模拟PWM驱动Micro-LED显示研究
- 批准号:--
- 项目类别:省市级项目
- 资助金额:15.0万元
- 批准年份:2024
- 负责人:吴为敬
- 依托单位:
有机光电二极管传感阵列有源驱动及周边集成研究
- 批准号:--
- 项目类别:省市级项目
- 资助金额:10.0万元
- 批准年份:2021
- 负责人:吴为敬
- 依托单位:
金属氧化物TFT柔性行驱动电路研究
- 批准号:61874046
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:63.0万元
- 批准年份:2018
- 负责人:吴为敬
- 依托单位:
基于ZnO基TFT的AMOLED像素电路研究
- 批准号:61204089
- 项目类别:青年科学基金项目
- 资助金额:28.0万元
- 批准年份:2012
- 负责人:吴为敬
- 依托单位:
国内基金
海外基金
