(Ge+Si)/TiO2量子点混杂复合材料的制备及其复合敏化机理探索研究
批准号:
50802061
项目类别:
青年科学基金项目
资助金额:
20.0 万元
负责人:
何芳
依托单位:
学科分类:
无机非金属基复合材料
结题年份:
2011
批准年份:
2008
项目状态:
已结题
项目参与者:
龚正烈、王玉林、李群英、周艳军、王静、李侠
中文摘要
针对太阳电池光电转换材料存在的低转换效率等问题,将传统复合材料混杂复合的思想引入到量子点复合材料;选择特点突出的TiO2为基材,采用复合离子注入技术,并依据混杂原则和量子限制效应,提出在TiO2中合成与组装元素半导体Ge和Si纳米晶制备(Ge+Si)/TiO2量子点混杂复合材料的新思想,实现双量子点对TiO2的整体复合敏化;通过调节Ge和Si双量子点的含量、尺度、形态及分布,以期在更大程度调节光电转换材料的光吸收特性,使其吸收谱与太阳光谱完全匹配。本项目以双量子点混杂复合材料的制备科学研究为前提,重点研究双量子点复合敏化对TiO2光谱响应特性的影响规律,并探究双量子点结构、形态及分布等对光谱响应特性的调控规律,揭示双量子整体复合敏化机理及其混杂效应,提出新一代太阳电池光电转换材料的设计原理,为制备高效率光电转换材料提供理论依据。本项目的思想也可拓展到其它量子点对TiO2的多元混杂复合敏化。
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DOI:
--
发表时间:
--
期刊:
功能材料
影响因子:
--
作者:
[周艳军 何芳]
通讯作者:
周艳军 何芳
Composites of the Titania Thin Film Implanted by Ge and Si
Ge和Si注入二氧化钛薄膜的复合材料
DOI:
--
发表时间:
--
期刊:
International Journal of Modern Physics B
影响因子:
1.7
作者:
[周艳军 何芳]
通讯作者:
周艳军 何芳
DOI:
--
发表时间:
--
期刊:
稀有金属
影响因子:
--
作者:
[周艳军 何芳]
通讯作者:
周艳军 何芳
Fabrication of Ge quantum dots doped TiO2 films with high optical absorption properties via layer-by-layer ion-beam sputtering
通过逐层离子束溅射制备具有高光吸收性能的 Ge 量子点掺杂 TiO2 薄膜
DOI:
10.1016/j.matlet.2011.09.111
发表时间:
2012-01
期刊:
materials letters
影响因子:
3
作者:
[李小青 何芳]
通讯作者:
李小青 何芳
Study on Preparation and Optical Absorption of Ge Doped TiO2 Composite Thin Films by Sol-Gel Method
溶胶-凝胶法制备Ge掺杂TiO2复合薄膜及其光吸收研究
DOI:
10.4028/www.scientific.net/amr.299-300.558
发表时间:
2011
期刊:
Advanced Materials Research
影响因子:
--
作者:
[Y. Zhou, F. He, J. Qi, Yu Wang]
通讯作者:
Yu Wang
多金属氧化物光阳极原位阳离子选择性置换调控及载流子输运优化机制研究
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批准号:--
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项目类别:面上项目
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资助金额:58万元
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批准年份:2021
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负责人:何芳
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依托单位:
2D-硫化铼/2D-二氧化钛异质结的结构设计、界面调控及其光催化性能研究
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批准号:51972226
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项目类别:面上项目
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资助金额:60.0万元
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批准年份:2019
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负责人:何芳
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依托单位:
MoS2/金属-有机框架材料(MOFs)/g-C3N4纳米复合结构的构建、形成机制及光催化性能研究
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批准号:51572189
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项目类别:面上项目
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资助金额:64.0万元
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批准年份:2015
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负责人:何芳
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依托单位:
广谱光吸收的上转换发光增强3C-SiC纳米复合结构设计及光解水研究
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批准号:51372169
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项目类别:面上项目
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资助金额:78.0万元
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批准年份:2013
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负责人:何芳
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依托单位:
国内基金
海外基金