Fabrication of Ge quantum dots doped TiO2 films with high optical absorption properties via layer-by-layer ion-beam sputtering
Fabrication of Ge quantum dots doped TiO2 films with high optical absorption properties via layer-by-layer ion-beam sputtering
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通过逐层离子束溅射制备具有高光吸收性能的 Ge 量子点掺杂 TiO2 薄膜
DOI：
10.1016/j.matlet.2011.09.111
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发表时间：
2012-01
影响因子：
3
通讯作者：
李小青 何芳
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
李小青 何芳
采用离子束溅射法制备了Ge量子点掺杂的TiO 2薄膜。TEM结果表明Ge量子点尺寸分布均匀，密度高。XPS分析表明，Ge以单质形式存在于TiO 2薄膜中。AFM分析表明，Ge量子点在TiO 2薄膜中的生长模式为Sttranski-Krastanov生长模式。光吸收光谱表明，Ge量子点掺杂的TiO 2薄膜的光响应从紫外区向近红外区移动，具有良好的光吸收特性。
Ge quantum dots (QDs)-doped TiO2films were prepared by ion-beam sputtering. TEM results showed Ge QDs were in a uniform size distribution and high density. XPS indicated that Ge incorporated in the TiO2films was in elemental form. The Stranski–Krastanov growth mode was accounted for the growth of Ge QDs in TiO2films by AFM analysis. Optical absorption spectra exhibited the optical response of the Ge QDs-doped TiO2films was shifted from UV to the near infrared region, suggesting a good optical absorption property.
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DOI：
10.1016/j.jphotochem.2003.12.009
发表时间：
2004-04
影响因子：
4.3
作者：
N. Wu;Min-Shuei Lee;Zern Jin Pon;J. Hsu
通讯作者：
N. Wu;Min-Shuei Lee;Zern Jin Pon;J. Hsu
影响因子：
3.5
作者：
S. Chatterjee
通讯作者：
S. Chatterjee
影响因子：
10.8
作者：
Hensel, Jennifer;Wang, Gongming;Zhang, Jin Z.
通讯作者：
Zhang, Jin Z.
影响因子：
4
作者：
S. R. Pinto;A. Rolo;M. Gomes;M. Ivanda;I. Bogdanović-Radović;J. Grenzer;A. Mücklich;D. J. Barber;S. Bernstorff;Maja Buljan
通讯作者：
S. R. Pinto;A. Rolo;M. Gomes;M. Ivanda;I. Bogdanović-Radović;J. Grenzer;A. Mücklich;D. J. Barber;S. Bernstorff;Maja Buljan
影响因子：
3.7
作者：
Lopez-Luke, Tzarara;Wolcott, Abraham;Zhang, Jin Z.
通讯作者：
Zhang, Jin Z.